一种MEMS三轴陀螺仪
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104897147B

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201510368747.7

    申请日:2015-06-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01C19/5712

    摘要: 本发明公开了一种MEMS三轴陀螺仪,随动质量块的侧壁通过驱动弹性梁与主质量块连接;在随动质量块上还设置有X、Y轴检测质量块,X轴检测质量块位于随动质量块Y轴方向上,并通过沿Y轴方向的第一连接梁与随动质量块连接;Y轴检测质量块位于随动质量块X轴方向上,且通过沿X轴方向的第二连接梁与随动质量块连接;包括通过第三连接梁与主质量块连接的Z轴解耦质量块,Z轴检测质量块通过第四连接梁与Z轴解耦质量块连接;Z轴检测质量块通过第五连接梁连接在衬底的锚点上。本发明的MEMS三轴陀螺仪,通过上述的结构设计,可以将三轴陀螺仪的检测集成在单个芯片上,提高了芯片的利用率,同时也提高了角速度信号检测的精度。

    一种MEMS三轴加速度计
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104931729B

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201510368756.6

    申请日:2015-06-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01P15/18

    摘要: 本发明公开了MEMS三轴加速度计,包括基板和悬置于基板上方的扭动质量块;扭动质量块为中心对称结构,包括主质量块和第一、第二次质量块,以及平行于y轴的四条弹性连接梁;第一次质量块的左侧/右侧边缘通过第一弹性连接梁和主质量块连接,第二次质量块的右侧/左侧边缘通过第二弹性连接梁和主质量块连接;第一次质量块的中心通过第三弹性连接梁连接在基板的第一锚点上,第二次质量块的中心通过第四弹性连接梁连接在基板的第二锚点上;第一、第二次质量块设有第一、第二、第三可动电极,基板上设置有与第一、第二、第三可动电极组成x轴、y轴、z轴检测电容的第一、第二、第三固定电极。本发明能够消除外界干扰,并且制造工艺过程简单易实现。

    一种惯性传感器的解粘连结构及其方法

    公开(公告)号:CN105480932B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201610004863.5

    申请日:2016-01-04

    IPC分类号: B81B3/00 G01P15/125 G01C19/00

    摘要: 本发明公开了一种惯性传感器的解粘连结构及其方法,包括位于惯性传感器质量块运动方向上的驱动装置,相对于止挡机构固定安装的驱动装置包括用于与质量块接触的顶针组件;所述驱动装置被配置为:当质量块与止挡机构发生粘连时,所述驱动装置发生位移,驱动顶针组件将质量块与止挡机构分离。本发明的解粘连结构,当质量块与止挡机构粘连在一起后,控制驱动装置发生位移,从而使顶针组件朝向质量块的方向移动,并最终驱动质量块与止挡机构分离,从而实现了质量块的解粘连,提高了惯性传感器的使用寿命。本发明的解粘连结构,可以借用质量块外侧的冗余边框结构来设计,从而不会增加芯片的占用面积,不会影响MEMS芯片的整体尺寸。

    一种应力隔离的MEMS惯性传感器

    公开(公告)号:CN104817051B

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201510227170.8

    申请日:2015-05-06

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: B81B3/00 B81B7/02

    摘要: 本发明公开了一种应力隔离的MEMS惯性传感器,包括衬底,以及位于衬底上方的应力隔离层,所述应力隔离层通过第一锚点固定在衬底上,所述应力隔离层位于第一锚点两侧的位置悬置在衬底的上方;在所述应力隔离层的上端设置有敏感结构。本发明的MEMS惯性传感器,在外界的温度和应力变化时,产生的应变从衬底进入,通过第一锚点传到应力隔离层,再传输至敏感结构上,使得整个敏感结构对温度和应力所产生的应变具有一致的响应,通过敏感结构自身的差分结构就可以把这样的共模信号完全消除掉,从而使这种外界因素引起的信号不会叠加在惯性信号上,也就是说,该传感器最终输出的是完全由惯性所引起的信号变化。

    MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构

    公开(公告)号:CN104891418B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201510288750.8

    申请日:2015-05-29

    发明人: 郑国光

    摘要: 本发明公开了一种MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构,包括形成于衬底上的绝缘层、均形成于绝缘层上的第一下电极和第二下电极,还包括与第一下电极构成气压敏感型电容器的第一上电极,以及与第二下电极构成基准电容器的第二上电极;还包括通过第三支撑部支撑在衬底上方的惯性敏感结构,以及与惯性敏感结构构成惯性传感器的惯性检测电容器的固定极板;其中还包括盖体,盖体将惯性敏感结构、固定极板构成的惯性检测电容器封装在衬底上。本发明的集成结构,将MEMS惯性传感器和MEMS压力传感器集成在同一衬底上,可有效减小芯片的面积,从而降低了芯片的成本;通过一次封装,即可完成整个芯片的封装,降低了芯片封装的成本。

    一种MEMS麦克风的封装结构

    公开(公告)号:CN104822118B

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201510227109.3

    申请日:2015-05-06

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: H04R19/04 H04R31/00

    摘要: 本发明公开了一种MEMS麦克风的封装结构,包括由封装壳体围成的封闭内腔,以及位于封闭内腔中的MEMS芯片、ASIC芯片,所述封装壳体上设置有供声音流入的声孔,所述MEMS芯片包括衬底以及设置在衬底上的振膜、背极,所述振膜将封闭内腔分为前腔、背腔,在所述背腔内设置有吸音结构。本发明MEMS麦克风的封装结构,入射声波自封装壳体上的声孔进入MEMS麦克风的前腔,到达振膜的直达声波大部分用来引起振膜的波动,另外很小一部分穿过振膜上的导气孔,进入到背腔,并被位于背腔中的吸音结构吸收掉,使得这些声波不会再发生反射,从而消除了背腔中反射声波对振膜的影响,进而提升了MEMS麦克风的灵敏度和信噪比。

    一种光学芯片的集成结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN106206915B

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201610782876.5

    申请日:2016-08-31

    发明人: 郑国光

    摘要: 本发明公开了一种光学芯片的集成结构及其制造方法,侧壁部上分别设置有连通所述第一内腔的第一入口、第一出口,所述第一入口、第一出口与第一内腔构成了第一注塑通道;通过第一注塑通道在所述第一内腔中注塑形成有覆盖所述光学传感器芯片的第一透光注塑体;所述侧壁部上分别设置有连通所述第二内腔的第二入口、第二出口,所述第二入口、第二出口与第二内腔构成了第二注塑通道;通过第二注塑通道在所述第二内腔中注塑形成有覆盖所述LED芯片的第二透光注塑体。本发明的集成结构,不需要复杂的模具,工艺流程简单。

    MEMS惯性传感器、湿度传感器集成装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN105115540B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201510369192.8

    申请日:2015-06-29

    发明人: 郑国光

    IPC分类号: G01D21/02

    摘要: 本发明公开了一种MEMS惯性传感器、湿度传感器集成装置及其制造方法,可动质量块结构包括固定在共用衬底上的锚点,以及通过锚点悬置在共用衬底上方的可动质量块,第一湿度传感器电容结构、第二湿度传感器电容结构分别包括设置在共用衬底上的至少一对第一固定极板、第二固定极板,在每对第一固定极板、第二固定极板的间隙中填充有湿敏材料;还包括将可动质量块结构、第一湿度传感器电容结构密封在共用衬底上的第一盖体。本发明的集成装置,可以采用相同的MEMS器件工艺,将电容式MEMS惯性器件和湿度传感器同时集成在单个芯片上,可以有效地降低成本,同时也可以大大减少MEMS惯性器件和湿度传感器所占用的芯片面积。

    一种光学芯片的集成结构

    公开(公告)号:CN105514098B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201610004551.4

    申请日:2016-01-04

    摘要: 本发明公开了一种光学芯片的集成结构,LED芯片包括设置在光学传感器上的衬底,所述衬底具有位于不同平面内的第一表面、第二表面,以及从第一表面边缘倾斜延伸至第二表面上的多个倾斜面;在所述该多个倾斜面上设置有作为LED芯片发光区的功能层。本发明的集成结构,LED芯片可通过该多个倾斜面上的功能层进行发光,实现了单颗芯片的多方向发光功能。该LED芯片与光学传感器集成在一起后,可以适用于利用接近光原理进行检测的多个测量领域中;而且LED芯片可与光学传感器分布在垂直方向上,由此可大大降低整个集成结构的尺寸,并可以提高光学芯片测量的稳定性以及精度。