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公开(公告)号:CN105489515A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201511021788.5
申请日:2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2224/04026
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法,在芯片硅衬底背面蒸镀金属层,在一定温度下,使金属层与框架表面受压接触,在接触面发生键合形成共晶,实现共晶焊接,在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu,形成四层结构的金属层,其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1~1.2μm,Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银,大大节约了生产成本,且提高了封装产品热导率,增长产品使用寿命。
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公开(公告)号:CN105485851A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201511021803.6
申请日:2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F24F11/00
CPC classification number: F24F11/30 , F24F11/39 , F24F2110/00 , F24F2110/40
Abstract: 本发明公开了一种中央空调过滤器的监测装置,包括箱体和设于箱体上的空气入口及空气出口,在空气入口和空气出口之间的箱体内依次间隔安装有初效过滤器、中效过滤器和高效过滤器,在初效过滤器的进风口与初效过滤器的出风口之间设有差压检测器,在中效过滤器的进风口与中效过滤器的出风口之间设有差压检测器,在高效过滤器的进风口与高效过滤器的出风口之间设有差压检测器,且各差压检测器上均连接有一报警器。本发明可以实时监测初效、中效和高效各级过滤器是否堵塞或破损,并及时发出报警信号,具有结构简单、自动化程度高,实用性强的特点,有利于对中央空调的维护检修工作。
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公开(公告)号:CN105374720A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510988290.X
申请日:2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67271
Abstract: 本发明公开一种防卡料分选机,其增设的震动机构的震动锤线圈的一端和续流二极管的负极连接震动锤电源的正极;震动锤线圈的另一端和续流二极管的正极连接固态继电器SSR的一个输出端;固态继电器的另一个输出端连接震动锤电源的负极。转向闪光器的供电端与控制电源的正极相连;转向闪光器的转向信号输出端连接稳压二极管的负极和负载电阻的一端;稳压二极管的正极连接固态继电器的一个输入端;负载电阻的另一端连接控制电源的负极和固态继电器另一个输入端。本发明能够控制直线轨道上的震动锤作连续不断有节奏敲打使直线轨道产生震动,在压缩空气和震动锤的作用下,产品在轨道中向前移动流畅,从而使得设备能连续运行。
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公开(公告)号:CN103681317A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201210345795.0
申请日:2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/66143
Abstract: 本发明公开一种制作掩埋PN结势垒肖特基二极管的方法,该方法通过在原有的基础硅外延层的上方增设一层新的附加硅外延层,这样有多个掩埋体掩埋在新的外延表面以下,形成多个隔离的PN结,在反向电压的情况下,这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响,因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应,并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积,在正向电压情况下,可以保持其正向电流导通的功能及效率。
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公开(公告)号:CN105499147A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201511021814.4
申请日:2015-12-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
CPC classification number: B07C5/02 , B07C5/00 , B07C2301/0008
Abstract: 本发明公开一种测试分选机用的器件定位座,包括定位杆,所述定位杆的上方设有定位凸台,所述定位凸台中心线上沿着其中心对称设有两块长度导入板,所述两块长度导入板相对定位凸台中心向外倾斜设置,所述两块长度导入板的两侧均设有与其倾斜方向一致、且相对定位凸台中心对称设置的宽度导入板,所述长度导入板的高度高于宽度导入板的高度。本发明结构简单、易于制造,有效矫正半导体器件的中心偏移吸嘴中心的现象,从而实现器件精确定位,避免半导体器件管脚的变形和分选机报警停机的现象,既减少员工的劳动量,同时提高半导体器件的生产效率。
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公开(公告)号:CN105489533A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201511024792.7
申请日:2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
CPC classification number: H02J9/061 , B25J19/06 , H01L21/67121
Abstract: 本发明公开一种贴片机停电摆臂防撞系统,由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连,不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连,马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本发明能够避免了贴片机在遭遇突然停电,摆臂因惯性撞击轨道,而导致设备的损坏,降低了维修费用,保证了生产效率。
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公开(公告)号:CN105436097A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201511025298.2
申请日:2015-12-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: B07C5/34
CPC classification number: B07C5/34
Abstract: 本发明公开一种测试分选机用的可拆卸电磁铁,包括电磁铁本体,设于电磁铁本体中心处的推拉杆,所述电磁铁本体包括滑动轴承、内套、线圈、外套,所述电磁铁本体的两端设有端盖,所述端盖通过连接件与电磁铁本体连接。本发明结构简单、易于制造,通过连接件连接,可拆卸进而单独更换滑动轴承,减少维修成本,从而降低生产成本;采用硅化石墨材料制成的滑动轴承,具有摩擦系数小、耐磨损、润滑效果好、使用寿命长等优点,避免吸嘴掉料,分选机的生产效率高,值得广泛推广。
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公开(公告)号:CN105423740A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510855131.2
申请日:2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F26B25/00
CPC classification number: F26B25/00 , F26B25/009
Abstract: 本发明公开了一种具有双重保护功能的烘箱,包括箱体和安装于箱体底部的加热器,加热器上连接有第一温控模块,还包括压力保护模块和用于监测并控制加热器工作温度的第二温控模块,压力保护模块安装于箱体上方;第二温控模块包括供电电源及依次连接的温度传感器、控制器和继电器,在控制器的输出端连接有声光报警装置和显示屏,继电器与加热器连接。本烘箱在原有烘箱电路的基础上,增加了一组主要由温度传感器、控制器、继电器、声光报警装置和显示屏组成的第二温控模块及用于监控烘箱的内外气压差的压力保护装置,使得本发明既可以防止烘烤温度过高或过低,也可以保证烘箱内的压强处于安全状态,具有双重保护功能,结构简单、实用性强。
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公开(公告)号:CN105334879A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201510855275.8
申请日:2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G05D11/13
CPC classification number: G05D11/131
Abstract: 本发明公开了一种用于铜线键合加工的保护气体监测系统,包括混合罐、氢气储罐和氮气储罐,氢气储罐和氮气储罐均通过输送管与混合罐的入口连接,还包括DCS控制系统和氢气分析仪,在各输送管上依次设有压力传感器、调压阀、流量调节阀、流量传感器和流量计,所述压力传感器和流量传感器与DCS控制系统的信号输入端连接,调压阀、流量调节阀和流量计与DCS控制系统的信号输出端连接;所述氢气分析仪的采集端与混合罐连接、其输出端与DCS控制系统的信号输入端连接。本发明能准确地监控铜线键合时所需的氮氢保护气体的压力、流量及配比值,有效地提高产品的良品率,具有检测精确、控制响应速度快,反应灵敏的特点。
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公开(公告)号:CN104952731A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201410127294.4
申请日:2014-03-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/06 , H01L29/42368 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法,其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向,在承受反压时,利用沟槽间有效距离形成全部空乏区,实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度,同时可增加外延浓度,降低外延电阻率,保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压,并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域,加上沟槽底部的厚氧化层,既保证承担反压,又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应,在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷,形成一层高浓度的导电通道,电流经此通道导通,不须经过电阻较高的外延层,从而进一步降低了导通时的内阻。
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