公开(公告)号：CN111153698A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010046966.4

申请日：2020-01-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  汪江婷 ,  曾卫东 ,  王名昌

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供了一种透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明铁电陶瓷材料所述透明铁电陶瓷材料具有式I所示的化学组成：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Ta0.5)O3式I，其中，x＝0.01～0.06。本发明提供的透明铁电陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；同时通过调控第二组元的固溶比例，使透明铁电陶瓷材料的结构致密，有效提升了透明铁电陶瓷材料的透光性。本发明提供的透明铁电陶瓷材料具有优异的透光性能和铁电性能。

公开(公告)号：CN110518139A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910867534.7

申请日：2019-09-13

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  中国有色桂林矿产地质研究院有限公司

Inventor： 张小文 ,  李皖蜀 ,  徐凯 ,  许积文 ,  陈国华 ,  王立惠 ,  卢宗柳

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法，包括步骤：（1）用无水乙醇洗涤CsWOx粉末，然后过滤、干燥、加入去离子水，得到CsWOx水性溶液。（2）将35-45nm的金属钼粉末及10-14μm的金属钨粉末加入到盛有异丙醇的容器中，金属钼粉末与金属钨粉末重量比1:（1.8-2.0），然后再加入H2O2搅拌，得到悬浮液。（3）将整个容器放入高压反应釜中，在160°C的环境下加热12小时，冷却至室温后离心收集沉淀物，所收集的沉淀物再用无水乙醇洗涤，得到MoWOx乙醇溶液。（4）将CsWOx水性溶液旋涂在处理好的ITO表面上并做退火处理；然后在其上再旋涂MoWOx乙醇溶液并做退火处理。

公开(公告)号：CN110041074A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910478416.7

申请日：2019-06-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  孙亚兵 ,  王华 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Nb0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN106129262B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201610540845.9

申请日：2016-07-11

Applicant: 电子科技大学中山学院 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 刘黎明 ,  王红航 ,  曾葆青 ,  张小文 ,  许积文 ,  王华

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5；在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层，在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层，在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量，从而促进空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率，同时制备工艺简单。

公开(公告)号：CN108689703A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810668019.1

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/72

Abstract: 本发明公开了一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：(1‑x)BaTi0.90Sn0.10O3‑xCa2LaMn2O7；其中x表示摩尔分数，0.01

公开(公告)号：CN107611277A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710946831.1

申请日：2017-10-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  张岩 ,  李皖蜀 ,  许积文 ,  郑清红 ,  王华

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于水溶液处理的氧化镧空穴注入层有机发光器件，所述器件的空穴注入层由水溶液处理的La2O3制备而成。另外，还公开了该器件的制备方法，所述方法至少包括如下步骤：（1）以硝酸镧六水合物和氨水为原料，采用共沉淀法制备La2O3纳米粉体颗粒；（2）将La2O3纳米粉体颗粒溶解在去离子水中，形成浓度为0.2wt％的La2O3悬浮液，然后对La2O3悬浮液过滤得到La2O3过滤液；（3）在ITO阳极玻璃基片上通过旋涂工艺旋涂La2O3过滤液形成La2O3薄膜，所述La2O3过滤液中的La浓度为0.01 mg/mL—0.03 mg/mL。本发明所述器件能有效的调节载流子的平衡，提高发光效率，同时器件的空穴注入层具有与MoOx空穴注入层几乎相当的空穴注入能力。

公开(公告)号：CN104944944B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN107010947A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710302249.1

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/49

Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

公开(公告)号：CN106747440A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611201094.4

申请日：2016-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘国保 ,  王华 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  杨玲 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/9653

Abstract: 本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。

公开(公告)号：CN104710174B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510104203.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高压电、高储能密度无铅陶瓷介质材料，成分以通式(0.95‑x‑y‑z)Bi0.5Na0.5TiO3–xBi0.5K0.5 TiO3 –yBa0.65Sr0.35Ti‑O3–zK0.5Na0.5NbO3 –0.05LiTaO3来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0.002≤x≤0.3，0.002≤y≤0.2，0.001≤z≤0.3。本发明采用放电等离子烧结，可在低烧结温度下获得均匀致密的陶瓷组织。本发明的压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高压电常数，储能密度可达1.75J/cm3，储能效率可达65%，压电常数d33可达682pm/V、实用性好。