公开(公告)号：CN105404923A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510988448.3

申请日：2015-12-25

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 何江樟 ,  李勇昌 ,  邹锋 ,  蒋振荣 ,  朱金华 ,  王常毅

IPC: G06M1/272 ,  G06M7/04

CPC classification number: G06M1/272 ,  G06M7/04

Abstract: 本发明公开了一种IC封装自动排片机的计数装置，包括水平安装的推杆、驱动装置和于推杆的一侧、且能在竖直方向上自由移动的料盒，所述推杆与驱动装置连接，用于将料盒内的料片推出；所述料盒的两侧敞开且在竖直方向上等间距设有N格装料格，料片依次置于装料格内；所述推杆作用于料片的一端为推料端，还包括一计数装置，所述计数装置包括光电传感器、PLC控制器和显示屏，所述光电传感器经一信号放大器后与PLC控制器内设有的计数模块连接，显示屏与PLC控制器的输出端连接，PLC控制器上还连接有用于供电的电源，其中N为≥5的正整数。本发明实现了对料片的自动计数功能，具有计数准确、计数快速、结构简单的特点，有效地提高了生产效率。

公开(公告)号：CN103515245B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310460632.1

申请日：2013-09-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 关仕汉 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  王常毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开一种基于高能离子注入方式的通道分压场效应管及生产方法，利用高能离子注入设备进行渐深注入，再通过扩散制作一N型通道连接沟道与漏极，N型通道所形成的类T形结构也是3D结构，PN之间形成空乏区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，综合前述两方面的改进，可以大幅减少栅极开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。

公开(公告)号：CN105006465A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510481042.6

申请日：2015-08-07

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 王常毅 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  蒋振荣 ,  朱金华 ,  邹波

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49568

Abstract: 本发明公开一种通用引线框架，包括多个规整排列的引线框架单元以及将上述多个引线框架单元连接在一起的筋架构成；其中每个引线框架单元均由1个贴片区域和2个脚位区域组成，贴片区域和2个脚位区域这三者相互区隔独立；所述贴片区域的左侧边和右侧边的下部均向脚位区域方向延伸出一个外延突起部，贴片区域整体呈一个上窄下宽的凸字形。本发明能够更好地满足大尺寸芯片产品及多芯片的贴片和焊线要求。

公开(公告)号：CN103531481A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310460327.2

申请日：2013-09-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 关仕汉 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  王常毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管及生产方法，其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用；同时，上述结构中栅极底部与漏极之间由P外延阻隔，从而使栅极底部与漏极之间的电容基本为零；并且通道与沟道的接触部分较小，可以大幅消除栅极和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充、放电时间（Qgd可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。

公开(公告)号：CN105489515B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201511021788.5

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 王常毅 ,  李勇昌 ,  邹锋 ,  蒋振荣 ,  邹波

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1～1.2μm，Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银，大大节约了生产成本，且提高了封装产品热导率，增长产品使用寿命。

公开(公告)号：CN105428282B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510989316.2

申请日：2015-12-25

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 邹波 ,  李勇昌 ,  邹锋 ,  蒋振荣 ,  王常毅 ,  朱金华

IPC: H01L21/67

CPC classification number: Y02P80/30

Abstract: 本发明公开一种具有防叠功能的贴片机，包括框架容置盒、传送轨道、贴装头和防叠框架检测机构。传送轨道位于框架容置盒的前端，贴装头位于传送轨道的后端。该防叠框架检测机构包括固定支架、活动杠杆、检测辊轮、传感器、控制器和报警器组成。当传送轨道上传送的引线框架的厚度大于检测辊轮的下端面与传送轨道之间的间隙时，检测辊轮被向上抬起，活动杠杆随之上升，此时传感器检测到活动杠杆的上升运动，发出信号到控制器，并通过控制器控制报警器发出报警。本发明能有效检查出两片及两片以上框架重叠送到轨道，使设备停机报警，提醒员工处理，这样直接地提高了焊接质量，减少原材料损耗，从而降低生产成本。

公开(公告)号：CN104299906B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310305389.6

申请日：2013-07-19

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  王常毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法，其在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极（Source）和漏极Drain）有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极（Gate）形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），可以大幅消除Gate和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充电时间（Qg可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。

公开(公告)号：CN105489515A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201511021788.5

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 王常毅 ,  李勇昌 ,  邹锋 ,  蒋振荣 ,  邹波

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L2224/04026

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1～1.2μm，Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银，大大节约了生产成本，且提高了封装产品热导率，增长产品使用寿命。

公开(公告)号：CN105485851A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201511021803.6

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 张堂贵 ,  李勇昌 ,  邹锋 ,  王常毅 ,  朱金华

IPC: F24F11/00

CPC classification number: F24F11/30 ,  F24F11/39 ,  F24F2110/00 ,  F24F2110/40

Abstract: 本发明公开了一种中央空调过滤器的监测装置，包括箱体和设于箱体上的空气入口及空气出口，在空气入口和空气出口之间的箱体内依次间隔安装有初效过滤器、中效过滤器和高效过滤器，在初效过滤器的进风口与初效过滤器的出风口之间设有差压检测器，在中效过滤器的进风口与中效过滤器的出风口之间设有差压检测器，在高效过滤器的进风口与高效过滤器的出风口之间设有差压检测器，且各差压检测器上均连接有一报警器。本发明可以实时监测初效、中效和高效各级过滤器是否堵塞或破损，并及时发出报警信号，具有结构简单、自动化程度高，实用性强的特点，有利于对中央空调的维护检修工作。

公开(公告)号：CN105188336A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510639929.3

申请日：2015-09-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 秦年科 ,  李勇昌 ,  蒋振荣 ,  王常毅 ,  邹波

IPC: H05K13/04

Abstract: 本发明公开了一种贴片机吸嘴修复装置，包括已磨损吸嘴，该装置主要由基座部和摆臂部组成，所述基座部包括基座、安装固定于基座一端头上的竖直圆柱形支架、安装固定在基座上的吸嘴固定座，所述摆臂部包括一端铰接于支架且另一端为自由端对齐于吸嘴固定座上的横向摆臂、安装固定于横向摆臂自由端处的转盘以及安装设置于转盘面上的砂纸固定片。本发明的贴片机吸嘴修复装置可以把已磨损吸嘴修复，使其具备重复利用，修复之后的吸嘴高度一致，安装到机台上可减少调机时间；与此同时，有效的减少每月的吸嘴消耗量，直接降低了生产成本。