公开(公告)号：CN105514155A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510875658.1

申请日：2015-12-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  戴小平 ,  郑昌伟

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，包括：在半导体基底的上表面形成图形化的第一掩膜；在所述半导体基底的上表面内形成漂移区；在半导体基底的上表面形成第二掩膜；采用清除剂去除所述第一掩膜，形成图形化的第二掩膜；在半导体基底的上表面内形成基区；在所述第二掩膜的侧壁形成侧墙，将所述带有侧墙的第二掩膜作为第三掩膜；在具有所述第三掩膜的半导体基底的上表面内形成源区。该制作方法根据器件的结构对工艺流程进行重新布局，使得用于形成基区的第二掩膜和用于形成源区的第三掩膜不再需要通过光刻工艺进行图形化，简化了工艺流程，减少了光刻次数，提高了工艺可控性，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN104576762A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410822182.0

申请日：2014-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  杨勇雄 ,  史晶晶 ,  蒋华平 ,  唐龙谷 ,  赵艳黎 ,  吴佳

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。

公开(公告)号：CN104319292A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410619758.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  刘国友 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  周正东 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN104282766A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410620019.6

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  赵艳黎 ,  蒋华平 ,  高云斌 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN104282765A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410619955.5

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  刘可安 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  吴佳 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。

公开(公告)号：CN103824879A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044426.7

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。

公开(公告)号：CN103579016A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310537220.3

申请日：2013-11-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  刘可安 ,  周正东 ,  史晶晶 ,  杨勇雄 ,  吴佳 ,  蒋华平 ,  赵艳黎

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/04 ,  H01L21/52

Abstract: 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。