公开(公告)号：CN105514155A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510875658.1

申请日：2015-12-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  戴小平 ,  郑昌伟

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，包括：在半导体基底的上表面形成图形化的第一掩膜；在所述半导体基底的上表面内形成漂移区；在半导体基底的上表面形成第二掩膜；采用清除剂去除所述第一掩膜，形成图形化的第二掩膜；在半导体基底的上表面内形成基区；在所述第二掩膜的侧壁形成侧墙，将所述带有侧墙的第二掩膜作为第三掩膜；在具有所述第三掩膜的半导体基底的上表面内形成源区。该制作方法根据器件的结构对工艺流程进行重新布局，使得用于形成基区的第二掩膜和用于形成源区的第三掩膜不再需要通过光刻工艺进行图形化，简化了工艺流程，减少了光刻次数，提高了工艺可控性，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN105514155B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510875658.1

申请日：2015-12-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  戴小平 ,  郑昌伟

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法，包括：在半导体基底的上表面形成图形化的第一掩膜；在所述半导体基底的上表面内形成漂移区；在半导体基底的上表面形成第二掩膜；采用清除剂去除所述第一掩膜，形成图形化的第二掩膜；在半导体基底的上表面内形成基区；在所述第二掩膜的侧壁形成侧墙，将所述带有侧墙的第二掩膜作为第三掩膜；在具有所述第三掩膜的半导体基底的上表面内形成源区。该制作方法根据器件的结构对工艺流程进行重新布局，使得用于形成基区的第二掩膜和用于形成源区的第三掩膜不再需要通过光刻工艺进行图形化，简化了工艺流程，减少了光刻次数，提高了工艺可控性，降低了工艺成本。