一种功率半导体模块焊接装置

    公开(公告)号:CN108010892B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201610943440.X

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块焊接装置,包括:基板组件、固定平板、弹性压接件和功率端子,基板组件包括底板,以及布置在底板上的绝缘件,绝缘件上布置有半导体芯片和焊接部。固定平板通过弹性压接件固定在基板组件上,固定平板和基板组件之间形成有容纳功率端子的空间。功率端子穿过固定平板,并抵接于固定平板的上底面下方,功率端子末端的引脚部在固定平板的定位作用下与焊接部相接触,通过弹性压接件实现功率端子在固定和焊接过程中的压力调节。本发明能够解决现有功率半导体模块封装工艺中功率端子焊接工装复杂,焊接应力难以释放导致焊接质量不高及焊接装置难以扩展使用的技术问题。

    一种功率半导体模块
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108010904B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201610949501.3

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:衬板组件、外壳框架、负载连接装置、压力件和辅助连接件。衬板组件设置于外壳框架的底部,压力件通过与外壳框架的连接配合将负载连接装置和辅助连接件压接于衬板组件上,负载连接装置以弹性触通方式压接于衬板组件上。通过负载连接装置与衬板组件的压接实现负载电路的连通,通过辅助连接件与衬板组件的压接实现控制电路的连通。本发明结构简单,便于拆装维护,易形成标准化的模块,能够解决现有功率半导体模块结构复杂、不便于拆装维护、连接不可靠的技术问题。

    功率半导体模块
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108010891B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201610943436.3

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块,包括:冷却构件、壳体、基底、功率半导体器件,以及两个以上的负载连接件。负载连接件以弹性触通方式压接于壳体与冷却构件之间,基底布置在冷却构件上。基底包括在其面向功率半导体模块内部形成的导电带,以及布置于导电带与冷却构件之间的绝缘层。至少两个负载连接件构成为具有压力传递区段和自压力传递区段伸出引脚的金属成型体,至少一个负载连接件的引脚上具有导电的弹性触指。通过壳体向负载连接件的压力传递使弹性触指变形而与基底上的导电带接触导通。本发明能够解决现有功率半导体模块引脚与导电带之间压力大小的可控性差,不同位置的引脚与导电带之间压力的一致性差的技术问题的技术问题。

    IGBT模块
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107770980B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201610688245.7

    申请日:2016-08-18

    Abstract: 本发明涉及IGBT模块。该IGBT模块包括:IGBT衬板,安装在所述IGBT衬板上的压盖,在所述压盖上贯穿设置有探针安装孔,导电性的探针,其主体处于所述探针安装孔内,上触头和下触头延伸到所述探针安装孔之外,并且所述下触头与所述IGBT衬板接触。在探针的主体上构造有与所述探针安装孔过盈配合的锁紧凸起。在本发明的IGBT模块中,不再使用易被损坏的弹性环将探针与压盖接合,而且方便了使用者的操作。

Patent Agency Ranking