公开(公告)号：CN108693697B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810227081.7

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 山田慎吾 ,  森山久美子 ,  美作昌宏

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域，上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部，上述相移膜使曝光光的相位偏移，而且，上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1～8％。在上述边界部，曝光光的强度分布急剧变化，能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。

公开(公告)号：CN118550149A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410184263.6

申请日：2024-02-19

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 山田慎吾 ,  森山久美子 ,  坂东宏树 ,  川原未佑

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/033 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法以及光掩模，与以往的光掩模的制造方法相比，能够实现光掩模的进一步的高精细化。其中，光掩模的图案的第二区域的边缘位置(半透膜3的边缘位置)并非基于上层膜图案的第二图案4B的、与第一图案4A相反的一侧的边缘位置来确定，而是基于上层膜图案的第二图案4B的、位于第一图案4A的一侧的边缘位置来确定。由此，上层膜图案的第二图案4B的宽度不是设定第二区域的宽度(半透膜3的露出部分的宽度)时的因素。因此，根据本发明，与以往的光掩模的制造方法相比，能够实现光掩模的进一步的高精细化。

公开(公告)号：CN108388078B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201810100694.4

申请日：2018-02-01

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 齐藤隆史 ,  山田慎吾 ,  森山久美子

IPC: G03F1/72

Abstract: 本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。

公开(公告)号：CN108693697A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810227081.7

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 山田慎吾 ,  森山久美子 ,  美作昌宏

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域，上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部，上述相移膜使曝光光的相位偏移，而且，上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1～8％。在上述边界部，曝光光的强度分布急剧变化，能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。

公开(公告)号：CN108388078A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810100694.4

申请日：2018-02-01

Applicant: 株式会社SK电子

Inventor： 齐藤隆史 ,  山田慎吾 ,  森山久美子

IPC: G03F1/72

Abstract: 本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。