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    热处理装置
    11.
    发明公开
    热处理装置 无效

    公开(公告)号：CN105742209A

    公开(公告)日：2016-07-06

    申请号：CN201510983270.3

    申请日：2015-12-24

    Applicant: 株式会社神户制钢所

    Inventor： 濑川利规 ,  津村英幸

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

    CPC classification number: F27B9/145 ,  C23C14/02 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  F26B13/10 ,  F27B9/28 ,  F27B9/36 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6776

    Abstract: 本发明的热处理装置包括：引导基材的多个辊，分别具有比基材宽度大的辊宽度；具有发热面的加热器，该发热面具有比基材宽度大的宽度尺寸；和隔热部件。隔热部件夹设在发热面露出部分与辊露出部分之间，所述发热面露出部分是发热面中的从基材的宽度方向的端部沿该宽度方向伸出而露出的部分，所述辊露出部分是多个辊中包含的特定辊中的从基材的宽度方向的端部向与发热面露出部分相同侧伸出而露出的部分，隔热部件将从发热面露出部分向辊露出部分的外周面的辐射遮挡。

    成膜装置以及使用该成膜装置的成膜方法
    12.
    发明公开
    成膜装置以及使用该成膜装置的成膜方法 有权

    公开(公告)号：CN105247097A

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201480030615.7

    申请日：2014-05-15

    Applicant: 株式会社神户制钢所

    Inventor： 濑川利规 ,  石山敦 ,  藤井博文

    IPC: C23C14/50

    CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/505

    Abstract: 本发明提供一种制冷剂泄漏的风险大幅度降低且能够提高冷却效率的成膜装置以及成膜方法。成膜装置(1)包括冷却部(4)、旋转台主体(11)、升降机构(5)以及制冷剂配管(6)，其中，冷却部(4)在腔室(2)的空间(2e)内冷却工件(W)，旋转台主体(11)在工件(W)被载置的状态下以垂直轴为中心旋转，且具有载置冷却部(4)的冷却部载置部(21)和被配置成包围该冷却部载置部(21)的周围且载置工件(W)的工件载置部(22)，升降机构(5)使冷却部(4)在空间(2e)内在第一位置与第二位置之间升降，第一位置是冷却部(4)被载置于旋转台主体(11)位置，第二位置是冷却部(4)从该旋转台主体(11)向上方隔开距离且与被载置于工件载置部(22)的工件(W)的侧面相向的位置，制冷剂配管(6)被安装于腔室(2)，且以能够装拆的方式连接于冷却部(4)，向该冷却部(4)供给制冷剂。

    CVD成膜装置
    13.
    发明公开
    CVD成膜装置 无效

    公开(公告)号：CN102597308A

    公开(公告)日：2012-07-18

    申请号：CN201080049046.2

    申请日：2010-10-18

    Applicant: 株式会社神户制钢所

    Inventor： 濑川利规 ,  冲本忠雄 ,  玉垣浩

    IPC: C23C16/44 ,  C23C16/54

    CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4412

    Abstract: 本发明的CVD成膜装置(1)，其中包括：多个成膜室单元(6)，分别具有与等离子体电源连接的成膜辊(2，2)及收纳该成膜辊(2，2)的成膜用单元室(60)，且各成膜辊(2，2)配置成沿水平方向排成一列；以及连接室单元(7)，具有与成膜室单元(6)的成膜用单元室(60)连结的连接用单元室(70)，且该连接室单元介于邻接的成膜室单元(6)之间并连接成膜室单元(6)彼此。基材(W)以缠挂在各成膜室单元(6)的各成膜辊(2，2)的状态被输送，各成膜室单元(6)各自通过等离子体来分解原料气体，该等离子体是通过向成膜辊(2，2)施加电压而在该成膜辊(2，2)附近生成，在成膜辊(2，2)上对所述基材实施成膜处理。

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