公开(公告)号：CN101335203B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810108560.3

申请日：2008-05-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  武富雄一 ,  川上信之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  B32B2457/20 ,  C22C21/00 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。

公开(公告)号：CN101828212A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112242.2

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  水野雅夫 ,  伊藤弘高 ,  富久胜文

IPC: G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，其电阻率比现有Cu合金膜低，且，不形成阻挡金属层时，在其和透明导电膜之间也可以实现低接点电阻的直接连接，应用于液晶显示器时，可以给予高的显示品质。本发明涉及在基板上与透明导电膜直接连接的显示装置用Cu合金膜，其特征在于，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.1～0.5原子％的选自Ni、Zn、Fe及Co的一种以上。

公开(公告)号：CN101691657A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910132939.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  岸智弥

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C1/02 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。

公开(公告)号：CN100575542C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710192798.4

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 得平雅也 ,  高木胜寿 ,  钉宫敏洋 ,  米田阳一郎 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C1/02 ,  B22D17/00 ,  C22F1/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F9/082 ,  B22F2998/10 ,  C22C21/00 ,  C23C4/08 ,  C23C4/123 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al-Ni-La体系Al-基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-La体系金属间化合物的总面积为70%以上，所述Al-La体系金属间化合物主要由Al和La组成。

公开(公告)号：CN100499137C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610114890.4

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1-6原子%的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。

公开(公告)号：CN101335202A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810099592.1

申请日：2008-05-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种直接接触技术，由于不仅可降低Al合金膜和透明像素电极之间的接触电阻而且耐热性也优良，因而可使Al合金膜与透明像素电极直接接触，而且既可进一步降低Al合金的电阻又可进一步提高生产效率。显示装置的制造方法中在基板上具备有氧化物透明导电膜和Al合金膜直接接触的构造，其中Al合金膜含有选自Ag、Zn、Cu及Ni群的至少一种合金元素为0.5原子％以下，并将基板的温度控制在合金元素的析出温度以上进行Al合金膜的形成。

公开(公告)号：CN101253447A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031383.2

申请日：2006-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明可提供一种薄膜晶体管基板，构成源极、漏极配线的铝合金膜和透明电极直接连接，该源极、漏极配线和栅极配线的特性都良好，可使用大幅简化了的工序进行制造。即，上述薄膜晶体管基板具有栅极配线合于此正交配置的源极配线及漏极配线。另外，上述薄膜晶体管基板，构成上述栅极配线的单层铝合金膜的组成和构成上述源极配线及漏极配线的单层铝合金膜的组成相同。另外，本发明还提供一种具备有上述薄膜晶体管基板的显示器件。

公开(公告)号：CN1508615A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310123124.0

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133553 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件由：由金属氧化物构成的第一电极、与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极构成；在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。

公开(公告)号：CN113348562A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080007374.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。

公开(公告)号：CN111226307B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。