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公开(公告)号：CN110828297A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910653979.5
申请日：2019-07-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304
Abstract: 提供半导体基板的加工方法，从在第一半导体基板的上表面上使第二半导体基板外延生长而得的双层构造的半导体基板高效地去除第一半导体基板。半导体基板的加工方法包含如下的工序：剥离层形成工序，将对于第一半导体基板(2)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于第一半导体基板(2)的内部而对第一半导体基板(2)照射激光光线(LB)，从而形成剥离层(8)；第二半导体基板形成工序，在实施了该剥离层形成工序之后，在第一半导体基板(2)的上表面上利用外延生长而形成第二半导体基板(12)；剥离工序，从剥离层(8)将第一半导体基板(2)剥离；以及磨削工序，在实施了该剥离工序之后，对第一半导体基板(2)进行磨削而去除。
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公开(公告)号：CN106216858B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610373778.6
申请日：2016-05-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成六方晶单晶晶片。在分离起点形成步骤中，在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。
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公开(公告)号：CN105855734B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610080313.1
申请日：2016-02-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/064 , B23K26/08 , B23K26/0622
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对锭的正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点。分离起点形成步骤由如下的步骤构成：第1分离起点形成步骤，从锭的扫描开始点直到扫描结束点利用往路和返路扫描激光束；以及第2分离起点形成步骤，从扫描结束点开始扫描而利用往路和返路扫描激光束直到扫描开始点。
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公开(公告)号：CN105414776B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510586907.5
申请日：2015-09-15
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供SiC锭块的切片方法，其能够高效地从SiC锭块切片出SiC基板。实施如下工序：初始分离层形成工序，使激光光线的聚光点(P)沿着分离预定面(4)与SiC锭块(1)的端面(2)平行地扫描，在离开端面的位置形成分离层(5)；重复工序，在该初始分离层形成工序后，使聚光点(P)从该分离层向端面侧每次移动与SiC板的厚度(D)相同的距离并与该端面平行地进行扫描，重复进行分离层的形成而形成多个分离层；和分离工序，对通过该重复工序形成的多个分离层施加外力，以分离层为起点进行剥离来获取多块SiC板(6)。能够减少用于使激光光线在SiC锭块的端面容易入射的镜面加工的次数，能够高效地从SiC锭块获取多块SiC板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105665946B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510853456.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的生成方法。具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对移动对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片厚度的板状物从锭剥离而生成晶片，分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对移动而形成改质层；转位步骤，在形成偏离角的方向上使聚光点相对移动而转位规定量，根据改质层和裂痕大小将转位量设定为如下的间隔：使形成在相邻改质层周围的裂痕彼此重合规定量。
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公开(公告)号：CN106216857B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610373433.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B23K26/53 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , H01L21/02005
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成六方晶单晶晶片。如果将聚光光斑的直径设为d、将相邻的激光束的聚光光斑的间隔设为x，则按照‑0.3≤(d‑x)/d≤0.5的范围照射激光束而形成改质层。
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公开(公告)号：CN109841543A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811398022.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供剥离装置，其能够容易地以剥离层为起点将晶片从锭剥离。剥离装置包含：锭保持单元，其按照使相当于晶片的部分向下而使锭悬垂的状态对该锭进行保持；水槽，其贮存水；超声波单元，其浸渍于水槽内的水中；移动单元，其使锭保持单元在上下方向上移动并使该锭保持单元与超声波单元面对，并且该移动单元使相当于晶片的部分浸渍于水槽的水中；以及喷嘴，其朝向相当于晶片的部分喷射水而促进晶片的剥离。
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公开(公告)号：CN105665947B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510854469.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法。包含分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距第一面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与改质层和裂痕而形成分离起点。分离起点形成步骤包含：第一分离起点形成步骤，将激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片的厚度的深度的2以上整数倍的深度而形成由第一改质层和第一裂痕构成的第一分离起点；第二分离起点形成步骤，在实施了第一分离起点形成步骤之后，将激光束聚光点定位在从第一分离起点起向正面的方向减去相当于要生成的晶片的厚度的深度而得到的第二深度而形成由第二改质层和第二裂痕构成的第二分离起点。
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公开(公告)号：CN108161215A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711146070.8
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B26F3/002 , B26D7/086 , H01L21/02002 , H01L29/1608 , B23K26/00 , B28D5/0058
Abstract: 提供一种SiC晶片的生成方法，其能够高效地将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；以及SiC晶片生成工序，将SiC晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对SiC晶锭(2)赋予具有与SiC晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将SiC晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(34)。
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