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公开(公告)号:CN104160493B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103066027B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201210306999.3
申请日:2012-08-24
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L25/071 , H01L2224/33 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种动力模块、制造动力模块的方法以及成型模具,所述动力模块包括:半导体元件;第一冷却构件和第二冷却构件,所述第一冷却构件和所述第二冷却构件被配置为将所述半导体元件夹在它们之间;框架构件,其被配置为支撑在所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的所述半导体元件;以及成型树脂件,其布置于所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间,其中,所述框架构件包括调节构件,所述调节构件调节所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的距离。
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公开(公告)号:CN105814686A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:第一开关元件(20);第二开关元件(30);第一金属构件(50);第二金属构件(54);第一端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第一电位部(P)具有与所述第一端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第一电位部和第二电位部之间的第一爬电距离大于第一电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN104025291A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280064492.X
申请日:2012-12-21
IPC: H01L23/433
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L24/33 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:多个半导体元件,每个半导体元件具有正面和背面;正面侧散热板,所述正面侧散热板定位在所述半导体元件的正面侧,并对由所述半导体元件产生的热进行散热;背面侧散热板,所述背面侧散热板定位在所述半导体元件的背面侧,并对由所述半导体元件产生的热进行散热;密封材料,所述密封材料覆盖除了所述正面侧散热板的正面和所述背面侧散热板的背面之外的所述半导体装置;底涂剂,所述底涂剂涂覆在所述正面侧散热板和所述背面侧散热板中的至少一者上,并且改善与所述密封构件的接触;凸部,所述凸部在所述多个半导体元件之间定位在所述正面侧散热板的背面和所述背面侧散热板的正面中的至少一者上。
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公开(公告)号:CN103066027A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210306999.3
申请日:2012-08-24
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L25/071 , H01L2224/33 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , Y10T29/49002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种动力模块、制造动力模块的方法以及成型模具,所述动力模块包括:半导体元件;第一冷却构件和第二冷却构件,所述第一冷却构件和所述第二冷却构件被配置为将所述半导体元件夹在它们之间;框架构件,其被配置为支撑在所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的所述半导体元件;以及成型树脂件,其布置于所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间,其中,所述框架构件包括调节构件,所述调节构件调节所述第一冷却构件与所述第二冷却构件之间的距离。
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公开(公告)号:CN105814686B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 种半导体装置包括:第开关元件(20);第二开关元件(30);第金属构件(50);第二金属构件(54);第端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第电位部(P)具有与所述第端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第电位部和第二电位部之间的第爬电距离大于第电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN104160493A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN103493197A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280018795.8
申请日:2012-04-18
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L24/30 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置,包括:第一半导体元件(10);第一厚板部(31),由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极(11);第二半导体元件(20),其主表面面向第一半导体元件的主表面;第二厚板部(32),由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极(21);第三厚板部(41),由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极(12);第四厚板部(42),由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极(22);第一薄板部(33、34),由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄;以及第二薄板部(43、44),由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
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公开(公告)号:CN105556664B
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201480050991.2
申请日:2014-09-09
Abstract: 提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上,第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外,第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且,在密封树脂体(66)内,与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。
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公开(公告)号:CN104347573B
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201410350640.5
申请日:2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开,提供一种引线框架,包括:并排地布置的第一岛和第二岛;外周框架;第一引线,第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸;第二引线,第二引线在第二方向上延伸;第一联结部分,第一联结部分将第一引线联结到框架;第二联结部分,第二联结部分将第二引线联结到框架;中间部分,中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在第一和第二岛之间的空间之前终止;和变形抑制部分,变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中,并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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