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    半导体装置
    11.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN113519050B

    公开(公告)日：2023-12-05

    申请号：CN202080018492.0

    申请日：2020-01-16

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 柿本规行 ,  石野宽 ,  平光真二

    IPC: H01L23/29 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 半导体装置具备，在一面及背面设有电极的多个半导体元件(31、32)、作为将半导体元件夹着而配置的散热部件的、与一面侧的电极电连接的第1部件(41、42)及与背面侧的电极电连接的第2部件(51、52)、以及与散热部件相连的端子(71、72)。在从板厚方向观察的平面视图中，第2部件的面积比第1部件小，半导体元件在第2部件的长边方向上排列配置。半导体装置中，作为在与第2部件之间形成的焊接部，还具有将半导体元件与第2部件电连接的第1接合部(131、132)和将端子的至少1个与第2部件电连接的第2接合部(121、122)。相对于经过第2部件的重心(Cg1，Cg2)且与板厚方向及长边方向正交的轴(AX11，(56)对比文件CN 105374779 A,2016.03.02JP 2016162777 A,2016.09.05WO 2015072105 A1,2015.05.21CN 105990284 A,2016.10.05US 2018138134 A1,2018.05.17TW 452943 B,2001.09.01JP 2014154736 A,2014.08.25CN 1529357 A,2004.09.15JP 2015186438 A,2015.10.22JP 2012146733 A,2012.08.02Viktoriia E. Babicheva*, RaduMalureanu, Andrei V. Lavrinenko.Plasmonicfinite-thickness metal–semiconductor–metal waveguide as ultra-compactmodulator.Sciverse sciencedirect.2014,全文.D.Schreiber.电力电子学在风力发电中的应用.变频器世界.2007,(12),全文.尧舜;丁鹏;刘江;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器实用化微通道热沉.北京工业大学学报.2009,(12),全文.

    半导体模组及其制造方法
    12.
    发明公开
    半导体模组及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117096110A

    公开(公告)日：2023-11-21

    申请号：CN202310547857.4

    申请日：2023-05-16

    Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

    Inventor： 石野宽 ,  熊谷克也 ,  成川胜

    IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49

    Abstract: 本发明提供半导体模组及其制造方法。在半导体模组中，连接端子呈板状，具有内部端子、外部端子和系杆残留部，内部端子在面方向中的一个方向上延伸设置并且被密封在树脂模塑部内，从形成于树脂模塑部的开口部露出，外部端子在开口部处与内部端子连接并从树脂模塑部突出，系杆残留部与内部端子连接，在与内部端子的延伸设置方向交叉并且沿着内部端子的面方向的方向上延伸设置，并具有从树脂模塑部突出的突出部；连接端子在从开口部露出的部分与突出部之间形成有槽部；树脂模塑部进入到槽部中；槽部的突出部侧的开口端部也被树脂模塑部覆盖。由此，能够抑制树脂模塑部的损伤。

    半导体装置
    14.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN106463491B

    公开(公告)日：2019-04-05

    申请号：CN201580029109.0

    申请日：2015-05-21

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 森野友生 ,  石野宽

    IPC: H01L23/48

    Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，使用碳化硅形成，在第1面(12a)及与该第1面相反的第2面具有电极；端子(14)，配置在第1面侧，经由接合部件而与第1面侧的电极连接；热沉(22)，配置在第2面侧，经由接合部件而与第2面侧的电极连接。设第1面(12a)为(0001)面，设半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。并且，呈平面正方形的半导体芯片(12)的端部与呈平面长方形的端子(14)的端部之间的距离中的[1－100]方向上的最短距离(L1)比[11－20]方向上的最短距离(L2)短。由此，能够在抑制散热性的下降的同时、提高半导体芯片对热应力的耐受力。

    半导体装置及其制造方法
    16.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118610184A

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202410073780.6

    申请日：2024-01-18

    Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

    Inventor： 桑田和辉 ,  石野宽 ,  远藤刚 ,  加藤良隆

    IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

    Abstract: 半导体装置及其制造方法。半导体装置具备与第1连接对象(12a、15)连接的第1引出布线(18、25、31、32)以及与第2连接对象(12b、16)连接的第2引出布线(19、26、30)。第1引出布线具备与第1连接对象连接的第1连接部(18a)、从封固树脂(27)露出的第1顶部(18c)以及相对于一面(11a)倾斜并将第1连接部及第1顶部连结的第1立设部(18b)。第2引出布线具备与第2连接对象连接的第2连接部(19a)、从封固树脂露出的第2顶部(19c)以及相对于一面倾斜并将第2连接部及第2顶部连结的第2立设部(19b)。第1顶部和第2顶部相互对置而配置。

    半导体模组及其制造方法
    17.
    发明公开
    半导体模组及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117096111A

    公开(公告)日：2023-11-21

    申请号：CN202310547878.6

    申请日：2023-05-16

    Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

    Inventor： 桑田和辉 ,  石野宽 ,  三瓶宏和 ,  成川胜

    IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49

    Abstract: 本发明提供半导体模组及其制造方法。半导体模组中，第1连接端子及第2连接端子为板状并且以离开规定间隔的状态层叠，在面方向中的一个方向上延伸设置并从树脂模塑部突出，第2连接端子从树脂模塑部的规定面突出，第1连接端子具有内部端子及外部端子，在树脂模塑部的与规定面不同的面形成有开口部而从而内部端子露出，外部端子在开口部与内部端子连接并从树脂模塑部突出，内部端子具有系杆残留部，该系杆残留部在与内部端子和第2连接端子的层叠方向及第1连接端子的延伸设置方向交叉的方向上延伸设置而从树脂模塑部突出并且与内部端子连接。由此，能够抑制第1连接端子与第2连接端子的间隔不均匀。

    半导体装置
    18.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN112166500A

    公开(公告)日：2021-01-01

    申请号：CN201980035157.9

    申请日：2019-03-28

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 石野宽

    IPC: H01L23/48 ,  H01L23/29 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 一种半导体装置，具备：半导体元件(30，30A，30B)，在一面侧具有第1主电极(32)，在背面侧具有第2主电极(33)；第1导电部件(40C)及第2导电部件(40E)，是将半导体元件夹着而配置的导电部件(40)，上述第1导电部件配置在一面侧且与第1主电极连接，上述第2导电部件配置在背面侧且与第2主电极连接；绝缘部件(20)，将导电部件各自的至少一部分以及半导体元件一体地覆盖并保护；以及第1主端子(60C)及第2主端子(60E)，是与导电部件相连且向绝缘部件之外延伸设置的主端子(60)，上述第1主端子与第1导电部件相连，上述第2主端子与第2导电部件相连。主端子中，作为向绝缘部件之外突出的突出部分，具有对置部(62)和多个非对置部(63C，63E)，上述对置部以使主电流流动时产生的磁通相互抵消的方式配置，并且是第1主端子及第2主端子的板面彼此分离而对置的部分，上述多个非对置部是第1主端子及第2主端子各自中板面不对置的部分。

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