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公开(公告)号：CN117916662A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061304.1
申请日：2022-09-12
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 一种防护膜组件，其具备防护膜组件框、防护膜以及粘着层。粘着层的内壁面和外壁面的至少一者满足下述式(1)。式(1)：([A2s]/[A50s])≤0.97。式(1)中，A2s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对粘着层的距表面的深度为第一深度的第一深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第一深度是通过用氩气团簇离子束即溅射离子枪对表面的600μm见方的区域进行累计2秒照射而形成的。A50s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对深度为第二深度的第二深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第二深度是通过用上述溅射离子枪对上述区域进行累计50秒照射而形成的。
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公开(公告)号：CN108292604A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680066750.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
CPC classification number: C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。
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公开(公告)号：CN107431016A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018934.5
申请日：2016-03-24
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/76
Abstract: 本发明是一种填埋平坦化膜的制造方法，其具有下述工序：第1涂布工序，在具有凹部的构件的包含上述凹部的区域，涂布包含多元胺和第1溶剂的第1涂布液而在上述凹部填埋第1涂布液；以及第2涂布工序，在包含填埋有第1涂布液的上述凹部的区域，涂布包含具有2个以上羧基的有机物和沸点为200℃以下且SP值为30(MPa)1/2以下的第2溶剂的第2涂布液。
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公开(公告)号：CN104412376A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380036029.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C09D179/02 , C09K13/00 , H01L21/02063 , H01L21/02093 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02334 , H01L21/02343 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/56 , H01L21/76831 , H01L23/3185 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。
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公开(公告)号：CN104081503A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380005535.1
申请日：2013-01-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/04 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/532
CPC classification number: C08G73/0206 , C08G73/0213 , C08G73/0226 , C08G2190/00 , C09J179/02 , C09K3/1006 , C09K2003/1087 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101983223A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200980112061.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08L83/04 , C08J9/28 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , C08K3/08 , C09D7/61 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种组合物，含有烷氧基硅烷化合物的水解产物、下述通式(1)表示的硅氧烷化合物的水解产物、表面活性剂和电负性为2.5以下的元素。通式(1)中，RA及RB分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或-CdH2d-1基。其中，RA及RB不同时为氢原子。RC及RD表示将硅原子和氧原子相互连接形成环状硅氧烷结构的单键，或者分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或者-CdH2d-1基。a表示1～6的整数，b表示0～4的整数，c表示0～10的整数，d表示2～4的整数，n表示3以上的整数。
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公开(公告)号：CN108352320B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201680066760.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。
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公开(公告)号：CN113677722A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080025442.5
申请日：2020-03-27
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08F290/12 , C09J4/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , G03F1/62 , C09J7/29 , C09J7/38
Abstract: 本发明的课题在于提供一种溶液稳定性高的粘着剂溶液，且通过使用该粘着剂溶液而提供一种残胶少、释气的产生得到抑制的防护膜组件。本发明是一种防护膜组件，所述防护膜组件具有防护膜框架、铺设于防护膜框架的一端面的防护膜、以及设置于防护膜框架的另一端面的粘着剂层，所述防护膜组件中，粘着剂层包含(甲基)丙烯酸系粘着剂，所述(甲基)丙烯酸系粘着剂为包含聚合物(A)及自由基聚合引发剂(B)的树脂组合物的固化物，聚合物(A)具有源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元、以及包含含碳‑碳多重键的基团的侧链。
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公开(公告)号：CN112805813A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066019.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
Abstract: 一种半导体元件中间体的制造方法，其包括下述工序：准备表面具有凹部的基板的准备工序；将上述基板的温度设为250℃以上，通过原子层沉积法，使用包含下述通式(1)所示的化合物的氧化锡前体，向上述凹部填充氧化锡的填充工序。通式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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公开(公告)号：CN108352320A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066760.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
CPC classification number: C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si-O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。
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