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公开(公告)号：CN109951193B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811561086.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种实现高的功率效率并且使增益的线性提高的发送单元。发送单元具备：第一晶体管，将第一信号的功率放大并示出第二信号；电源电路，将根据第一信号的振幅电平变动的电源电压供给到第一晶体管；以及衰减器，在电源电压不足第一电平的情况下，使第一信号衰减，使得伴随着电源电压的下降，衰减量变大。
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公开(公告)号：CN107800440B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710729984.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 近藤将夫
Abstract: 本发明提出能对应于多频段方式而不增加元器件数量的发送模块及收发模块。发送模块(700)包括：放大器(50)，该放大器(50)放大频带互不相同的多个发送信号；电源电压调整电路(110)，该电源电压调整电路(110)针对发送信号的每个频带将不同的电源电压提供给放大器(50)；以及可变匹配电路(60)，该可变匹配电路(60)具有至少一个可变电容器元件(C2)及至少一个固定电感器元件(L1、L2)，基于提供给放大器(50)的电源电压的变化所引起的放大器(50)的输出阻抗匹配条件的变化，改变至少一个可变电容器元件(C2)的电容值，从而针对发送信号的每个频带满足不同的放大器(50)的输出阻抗匹配条件。
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公开(公告)号：CN109951193A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811561086.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种实现高的功率效率并且使增益的线性提高的发送单元。发送单元具备：第一晶体管，将第一信号的功率放大并示出第二信号；电源电路，将根据第一信号的振幅电平变动的电源电压供给到第一晶体管；以及衰减器，在电源电压不足第一电平的情况下，使第一信号衰减，使得伴随着电源电压的下降，衰减量变大。
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公开(公告)号：CN109616516A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811024684.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/10 , H01L27/102
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板之上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域之上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
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公开(公告)号：CN107508558A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710343985.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种维持可靠性并提高功率附加效率的功率放大电路。功率放大电路包括：基极输入有无线频率信号的第1晶体管；输出与电源电压相对应的第1电压的第1电压输出电路；以及基极或栅极被提供有第1电压、发射极或源极连接至第1晶体管的集电极、并从集电极或漏极输出对无线频率信号进行放大后而得的第1放大信号的第2晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106026932A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610187685.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在具有多个动作方式的功率放大模块中，适当地控制偏置。功率放大模块包括：放大晶体管，该放大晶体管被提供第1动作方式的第1电源电压或第2动作方式的第2电源电压，向该放大晶体管输入第1信号，并输出放大第1信号后得到的第2信号；以及偏置电路，该偏置电路向放大晶体管提供偏置电流，偏置电路包含：第1电阻；第1晶体管，该第1晶体管与第1电阻串联连接并根据在第1动作方式时提供的第1偏置控制电压变为导通；第2电阻；第2晶体管，该第2晶体管与第2电阻串联连接，并根据在第2动作方式时提供的第2偏置控制电压变为导通。
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公开(公告)号：CN118369766A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081611.6
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管和半导体装置。形成有台面结构，该台面结构包含层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层。在台面结构上配置有与发射极层电连接的发射极电极。并且，在台面结构上配置有与基极层电连接的基极电极。集电极电极配置为在俯视时包围台面结构，集电极电极与集电极层电连接。发射极电极包含第一部分和第二部分。在俯视时，基极电极包围发射极电极的第一部分，发射极电极的第二部分包围基极电极。
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公开(公告)号：CN109994540B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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公开(公告)号：CN114649275A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111553234.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/34 , H01L23/528 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够根据温度适当地抑制输出电压的功率放大器。在包括半导体区域的第一部件的第一面接合包括化合物半导体系的半导体区域的第二部件。第二部件包括：放大电路，包括化合物半导体系的半导体元件；以及多个钳位二极管，连接成多级并插入在放大电路的输出端口与地线之间。第一部件包括：开关，连接在引出点与地线之间，该引出点是连接成多级的多个钳位二极管的中途的点；温度传感器；以及开关控制电路，基于温度传感器的测定结果进行开关的接通断开控制。引出点与开关经由包括配置在从第一部件的第一面到第二部件的表面的层间绝缘膜之上的由金属图案构成的部件间连接布线的路径、或者经由与第一部件和第二部件接合的界面交叉的路径连接。
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