公开(公告)号：CN107078125A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048597.X

申请日：2015-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 北原崇 ,  中山博明 ,  西明恒和 ,  能登大树 ,  川崎幸一郎

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明能提高具有功率放大器和SAW双工器的功率放大模块的散热性。功率放大模块包括：具有第一和第二主面的基板；功率放大器，该功率放大器具有形成电极的第一面和与该第一面相对的第二面，安装成该第一面与基板第一主面相对；表面弹性波双工器，该表面弹性波双工器具有形成电极的第一面和与该第一面相对的第二面，并且安装成该第一面与基板的第一主面相对；设置在基板第二主面上的散热部；将功率放大器和第一主面的连接部中的至少一部分与散热部连接的散热路径；覆盖功率放大器及表面弹性波双工器的绝缘性树脂；覆盖绝缘性树脂表面的导电性屏蔽件；以及第一导电部，该第一导电部设置在表面弹性波双工器的第二面上，并且与导电性屏蔽件电连接。

公开(公告)号：CN102428550B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201080021654.2

申请日：2010-05-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西明恒和 ,  小林一也 ,  姬田高志 ,  奥田修功

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L27/0883 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/095 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种改善失真特性的构成的半导体开关装置、以及半导体开关装置的制造方法。半导体开关装置(1)将具有凹槽(3A、3B)的半导体元件(E1、D1)形成在单一的半导体基板(2)上。以半导体元件(D1)构成开关电路。以半导体元件(E1、D1)构成逻辑电路。半导体元件(E1、D1)分别具有栅极电极(4A、4B)、漏极电极(6A、6B)、以及源极电极(5A、5B)。栅极电极(4B)的外形形状为剖面矩形形状。栅极电极(4A)的外形形状为剖面V字形状。