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公开(公告)号：CN112352382B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980039853.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在所述衬底中形成的一个或多个腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号：CN118523747A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674752.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN118523745A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410674724.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN118316415A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410417321.5
申请日：2020-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 帕特里克·特纳 , 迈克·艾迪 , 安德鲁·凯 , 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 查尔斯·钟
Abstract: 公开了声波谐振器器件和滤波器。压电板附接到基板，压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。第一导体图案，在压电板的表面上形成。第一导体图案包括布置在隔膜上的叉指换能器的交错指状物，以及第一多个接触焊盘。第二导体图案，在基部的表面上形成，第二导体图案包括第二多个接触焊盘。第一多个接触焊盘中的每个焊盘直接接合到第二多个接触焊盘中的相应焊盘。在压电板的周边和基部的周边之间形成环形密封。
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公开(公告)号：CN113169721B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980077326.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激发压电板中的剪切声波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116545408A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310513637.X
申请日：2020-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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公开(公告)号：CN116545405A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310511615.X
申请日：2020-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(1DT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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公开(公告)号：CN119324690A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411314872.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫
Abstract: 公开了声学谐振器器件和滤波器。一种声学谐振器器件，包括：一基板，具有一表面；一单晶压电板，具有正面和背面，所述背面附接到所述基板的表面上，除了一部分的压电板未附接到所述基板的表面上，其中这部分的压电板形成了隔膜，所述隔膜跨越所述基板中的腔。一叉指换能器(IDT)，在所述单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述压电板和IDT配置为使得施加到IDT的射频信号激励所述隔膜中的剪切主声模。一半λ介电层，在所述压电板的正面和背面中的其中一面上形成。
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公开(公告)号：CN113615083B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202080018468.7
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫
Abstract: 公开了声学谐振器器件和滤波器。一种声学谐振器器件，包括：一基板，具有一表面；一单晶压电板，具有正面和背面，所述背面附接到所述基板的表面上，除了一部分的压电板未附接到所述基板的表面上，其中这部分的压电板形成了隔膜，所述隔膜跨越所述基板中的腔。一叉指换能器(IDT)，在所述单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述压电板和IDT配置为使得施加到IDT的射频信号激励所述隔膜中的剪切主声模。一半λ介电层，在所述压电板的正面和背面中的其中一面上形成。
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公开(公告)号：CN118573147A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410674746.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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