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公开(公告)号：CN106560758B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610885337.4
申请日：2016-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: H03F1/0222 , G05F3/262 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F3/04 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种无论电源电压如何变动，均能稳定地输出电流的电流输出电路。本发明的电流输出电路包括：第1FET，对该第1FET的源极提供电源电压，对该第1FET的栅极提供第1电压，并从该第1FET的漏极输出第1电流；第2FET，对该第2FET的源极提供电源电压，对该第2FET的栅极提供第1电压，并从该第2FET的漏极输出输出电流；第1控制电路，该第1控制电路控制第1电压，使得第1电流成为目标电平；以及第2控制电路，该第2控制电路进行使第1FET的漏极电压与第2FET的漏极电压相等的控制。
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公开(公告)号：CN106664063A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036105.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的偏置控制电路能在抑制伴随着制造偏差而产生的偏置电压或偏置电流的变动的同时，抑制制造成本的增加。偏置控制电路包括：基准电压电路，该基准电压电路生成基准电压；电阻；温度依赖电流生成电路，该温度依赖电流生成电路基于基准电压生成依赖于温度变化的温度依赖电流，将温度依赖电流提供给电阻的一端；基准电压缓冲电路，该基准电压缓冲电路对电阻的另一端施加基准电压；恒定电流生成电路，该恒定电流生成电路基于基准电压生成用于驱动基准电压缓冲电路的恒定电流，将恒定电流提供给电阻的另一端；以及偏置生成电路，该偏置生成电路基于电阻一端的电压，对功率放大电路生成偏置电压或偏置电流。
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公开(公告)号：CN110391788A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910297010.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大器的控制电路，能够使输出特性变得适当。控制电路具备：第1输出部，将对偏置电路的电偏置状态进行设定的恒定的偏置电流输出到偏置电路；第2输出部，将对偏置电路的电偏置状态进行控制的偏置控制电流或恒定电压输出到偏置电路；电阻，一端与基准电位连接；和开关，设置在电阻的另一端与第2输出部的输出端子之间。
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公开(公告)号：CN110247633A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910183410.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种功率放大模块，具备：将无线频率信号放大并输出的第一晶体管(T11)；与第一晶体管并联连接且尺寸比第一晶体管小的第二晶体管(T12)；向第一及第二晶体管供给偏置电流的第三晶体管(T21)；对流向第二晶体管的集电极的电流进行检测的电流检测电路(R12)；和偏置控制电路(400A)，通过将与电流检测电路(R12)的检测结果相应的电流向第三晶体管(T21)的集电极或漏极供给，来控制从第三晶体管(T21)向第一晶体管(T11)及第二晶体管(T12)供给的偏置电流，在流向第二晶体管(T12)的集电极的电流大于规定的阈值的情况下，减少向第三晶体管(T21)的集电极或漏极供给的电流。据此，在输入功率为规定的阈值以上的情况下抑制流向功率放大电路的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110247633B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910183410.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种功率放大模块，具备：将无线频率信号放大并输出的第一晶体管(T11)；与第一晶体管并联连接且尺寸比第一晶体管小的第二晶体管(T12)；向第一及第二晶体管供给偏置电流的第三晶体管(T21)；对流向第二晶体管的集电极的电流进行检测的电流检测电路(R12)；和偏置控制电路(400A)，通过将与电流检测电路(R12)的检测结果相应的电流向第三晶体管(T21)的集电极或漏极供给，来控制从第三晶体管(T21)向第一晶体管(T11)及第二晶体管(T12)供给的偏置电流，在流向第二晶体管(T12)的集电极的电流大于规定的阈值的情况下，减少向第三晶体管(T21)的集电极或漏极供给的电流。据此，在输入功率为规定的阈值以上的情况下抑制流向功率放大电路的电流。
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公开(公告)号：CN106357227B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201610548247.6
申请日：2016-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供进行发送信号的斜率控制的功率放大模块，对电路规模的增大进行抑制。功率放大模块包括：放大用晶体管，将恒定的电源电压提供给该放大用晶体管的集电极，并将偏置电流提供给该放大用晶体管的基极，所述放大用晶体管将输入基极的输入信号进行放大并从集电极输出放大信号；第一电流源，该第一电流源输出与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应的第一电流；以及偏置用晶体管，将第一电流提供给该偏置用晶体管的集电极，将偏置控制电压连接至该偏置用晶体管的基极，并从该偏置用晶体管的发射极输出偏置电流。
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公开(公告)号：CN107863942A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710541979.7
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F3/21 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/34 , H03F3/191 , H03F3/245 , H03F2200/144 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03F3/193 , H03F2200/504
Abstract: 本发明提供一种对发送信号进行斜率控制的功率放大模块，其能抑制电路增大。功率放大模块包括：输出第一电流的第一电流源，该第一电流与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应；输出与电平控制电压相应的第二电流的第二电流源；第一晶体管，其基极被提供输入信号和第一偏置电流，其发射极接地；第二晶体管，其发射极连接至第一晶体管的集电极，其基极被提供第二电流，并从集电极输出将输入信号放大后的第一放大信号；以及第三晶体管，其集电极被提供第一电流，其基极被提供偏置控制电流或电压，并从发射极向第一晶体管的基极提供第一偏置电流。
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公开(公告)号：CN106560758A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610885337.4
申请日：2016-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: H03F1/0222 , G05F3/262 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F3/04 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种无论电源电压如何变动，均能稳定地输出电流的电流输出电路。本发明的电流输出电路包括：第1FET，对该第1FET的源极提供电源电压，对该第1FET的栅极提供第1电压，并从该第1FET的漏极输出第1电流；第2FET，对该第2FET的源极提供电源电压，对该第2FET的栅极提供第1电压，并从该第2FET的漏极输出输出电流；第1控制电路，该第1控制电路控制第1电压，使得第1电流成为目标电平；以及第2控制电路，该第2控制电路进行使第1FET的漏极电压与第2FET的漏极电压相等的控制。
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公开(公告)号：CN106357227A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610548247.6
申请日：2016-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03G3/3047 , H03G2201/40 , H03F3/20 , H03F3/45
Abstract: 本发明提供进行发送信号的斜率控制的功率放大模块，对电路规模的增大进行抑制。功率放大模块包括：放大用晶体管，将恒定的电源电压提供给该放大用晶体管的集电极，并将偏置电流提供给该放大用晶体管的基极，所述放大用晶体管将输入基极的输入信号进行放大并从集电极输出放大信号；第一电流源，该第一电流源输出与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应的第一电流；以及偏置用晶体管，将第一电流提供给该偏置用晶体管的集电极，将偏置控制电压连接至该偏置用晶体管的基极，并从该偏置用晶体管的发射极输出偏置电流。
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