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公开(公告)号：CN107615654B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680030389.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能压制横向模式纹波、不易产生插入损耗的劣化、能提高Q值的滤波器装置。滤波器装置具备：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，具有含低声速、高声速区域的多个第1IDT电极且作为第1带通型滤波器发挥功能；和弹性波谐振器，与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器电连接。弹性波谐振器具有由LiTaO3构成的压电膜和高声速构件。压电膜直接或间接地层叠在高声速构件上。多个第1IDT电极在压电膜的一个面上进行纵向耦合连接。在压电膜的一个面上设置有第2IDT电极。连结第2IDT电极的多条第1电极指的前端的方向及连结多条第2电极指的前端的方向相对于由LiTaO3的欧拉角规定的弹性波传播方向ψ呈倾斜角度v。
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公开(公告)号：CN111355468A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911299188.3
申请日：2019-12-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置以及电子部件模块，对弹性波装置的特性的恶化进行抑制。弹性波装置(1)具备：支承基板(11)、压电体层(122)、IDT电极(13)、外部连接电极(142)。压电体层(122)形成于支承基板(11)上。IDT电极(13)形成于压电体层(122)上。外部连接电极(142)与IDT电极(13)电连接。外部连接电极(142)在从支承基板(11)的厚度方向(D1)的俯视下，不与压电体层(122)重叠。支承基板(11)具有空洞部(114)。空洞部(114)在从厚度方向(D1)的俯视下，形成于支承基板(11)的至少端部。
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公开(公告)号：CN109560788A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810929093.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种弹性波装置，包括：压电体层；叉指换能器(IDT)电极，设置在所述压电体层上；高声速构件；以及低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间。所述压电体层包含钽酸锂，所述IDT电极包含多个金属层，所述多个金属层包括Al金属层和密度比Al高的金属层。在λ表示由所述IDT电极的电极指间距规定的波长，TLT(％)表示利用所述波长λ得到的所述压电体层的归一化膜厚，TELE(％)表示利用所述波长λ得到的所述IDT电极的Al换算归一化膜厚时，满足以下的式1：301.74667-10.83029×TLT-3.52155×TELE+0.10788×TLT2+0.01003×TELE2+0.03989×TLT×TELE≥0…式1。
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公开(公告)号：CN106105031B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201580012779.1
申请日：2015-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在通带内不易产生梳型电容电极中的弹性波的各模式的寄生成分且生产率优异的弹性波滤波器装置。一种声表面波滤波器装置，是具有依次层叠有高声速部件(5)、低声速膜(6)、压电膜(7)以及IDT电极(8)的构造的滤波器，其中，在上述压电膜(7)上设置有与滤波器电连接的梳型电容电极(10)。将由所述梳型电容电极(10)的电极指间距决定的波长设为λc，在所述梳型电容电极(10)中产生的声表面波的模式中，将P+SV波的声速设为VC‑(P+SV)，将SH波的声速设为VC‑SH，将SH波的高阶模中的位于最低的频率侧的高阶模的声速设为VC‑HO，此时，Vc‑(P+SV)＜VC‑SH＜Vc‑HO，将所述滤波器的低频侧的截止频率设为fF‑L，将高频侧的截止频率设为fF‑H，将在所述梳型电容电极(10)中产生的声表面波的传播方向用相对于压电膜的结晶的欧拉角表示为(0°，θ，ψ)，此时，对于任意的θ和ψ，设为VC‑(P+SV)/λC＜fF‑L且VC‑SH/λC＞fF‑H，或者设为VC‑SH/λC＜fF‑L且VC‑HO/λC＞fF‑H。
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公开(公告)号：CN103262410B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180059880.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0222 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/54 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
Abstract: 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置（1）中，在支撑基板（2）上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的弹性波声速高的高声速膜（3），在高声速膜（3）上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的体波声速低的低声速膜（4），在低声速膜（4）上层叠有上述压电膜（5），且在压电膜（5）的一面层叠有IDT电极（6）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103891138A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280047258.6
申请日：2012-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/17 , H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/02574
Abstract: 本发明提供不管压电体的厚度偏差如何都难以产生频率特性的偏差且能提高机电耦合系数k2的弹性波装置。弹性波装置(1)在支承基板(2)上层叠介质层(3)、压电体(4)以及IDT电极(5)，所述介质层(3)由包含低速介质和高速介质的介质构成，其中低速介质是与在压电体中传播、利用的弹性波的传播速度相比与该弹性波的主振动分量相同的体波的传播速度低的介质，高速介质是与该弹性波的主振动分量相同的体波的传播速度高于该弹性波的传播速度的介质。
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公开(公告)号：CN113541639B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110374862.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置及复合滤波器装置，能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为‑20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。
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公开(公告)号：CN117597865A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280047157.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够降低高阶的非线性失真的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，在压电膜(4)的第1主面(4a)上设置有第1IDT电极(5)，在第2主面(4b)上设置有第2IDT电极(6)，压电膜(4)的晶体c轴从第1主面(4a)以及第2主面(4b)的法线方向倾斜，第1IDT电极(5)中的产生于第1梳齿电极(11)中的汇流条(11a)和与该汇流条(11a)对置的电极指(12b)的前端之间的电场的朝向、和第2IDT电极(6)中的产生于汇流条(13a)和与该汇流条(13a)对置的电极指(14b)的前端之间的电场的朝向为相反方向。
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公开(公告)号：CN111587536B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201880086215.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 降低比反谐振频率更靠高频率侧的阻带纹波。弹性波装置(1)设置在作为天线端子的第1端子(101)与不同于第1端子(101)的第2端子(102)之间，具备多个弹性波谐振器(31～39)。多个弹性波谐振器(31～39)包含多个串联臂谐振器(31、33、35、37、39)、和多个并联臂谐振器(32、34、36、38)。在将多个弹性波谐振器(31～39)之中在电气上最接近第1端子(101)的弹性波谐振器(31)设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为SAW谐振器(3B)或者BAW谐振器。多个弹性波谐振器(31～39)之中除了天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第1弹性波谐振器(3A)。
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公开(公告)号：CN112673570B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980058436.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在包含硅的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、钽酸锂膜(4)、IDT电极(5)以及保护膜(8)，关于钽酸锂膜的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、保护膜的波长标准化膜厚TP、支承基板(2)的传播方位ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、TP和ψSi，使得Ih大于‑2.4，其中，Ih对应于关于杂散(A、B、C)的响应中的至少一个响应由下述的式(1)表示的杂散的响应的强度。#imgabs0#
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