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公开(公告)号：CN119543876A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410692059.5
申请日：2024-05-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中泽秀太郎
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置，第1弹性波谐振器的第1IDT电极的第1交叉区域具有第1中央区域及第1和第2边缘区域，第2弹性波谐振器的第2IDT电极的第2交叉区域具有第2中央区域及第3和第4边缘区域，第1质量附加膜设置于第1及第2边缘区域中的至少一者，与第1IDT电极的多个电极指在俯视下重叠，第2质量附加膜设置于第3及第4边缘区域中的至少一者，与第2IDT电极的多个电极指在俯视下重叠，第2IDT电极中的多个电极指的厚度比第1IDT电极中的多个电极指薄，第1和第2质量附加膜的厚度相同，第2IDT电极的电极指中的与第2质量附加膜在俯视下重叠的部分的宽度比该电极指的第2中央区域中的宽度窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541639A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110374862.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置及复合滤波器装置，能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为‑20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。
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公开(公告)号：CN119966374A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411558438.1
申请日：2024-11-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中泽秀太郎
Abstract: 一种弹性波元件、弹性波滤波器装置及多工器，抑制在比弹性波元件的反谐振频率靠高频侧的位置产生纹波。弹性波元件(10)具备形成在压电体层(100)的第一主面(100a)的第一IDT电极(11)及多个第一反射器(31)、形成在压电体层的第二主面(100b)的第二IDT电极(22)及多个第二反射器(42)。将第一方向(d1)上的多个第一反射器之间的区域设为第一区域(m1)，将第一方向上的多个第二反射器之间的区域设为第二区域(m2)，将从垂直于第一方向及第二方向(d2)双方的第三方向(d3)观察时包括第一区域及第二区域的最小区域设为反射器间区域(MR)，在该情况下，在反射器间区域的第一方向的端部区域(E)，具有第一IDT电极的第一电极指(11a、11b)及第二IDT电极的第二电极指(22a、22b)在第三方向上未相互对置的区域。
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公开(公告)号：CN113541639B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110374862.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置及复合滤波器装置，能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为‑20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。
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公开(公告)号：CN113196656B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201980081989.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中泽秀太郎
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制IMD的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)和设置在压电性基板(2)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)具有包含多个第1电极指(16)的第1梳齿状电极(6)以及包含多个第2电极指(17)的第2梳齿状电极(7)。IDT电极(3)具有主电极层由第1金属构成的第1部分(A)和主电极层由第2金属构成的第2部分(B)。多个第1电极指(16)以及第2梳齿状电极(7)分别具有隔着间隙对置的第1对置部，多个第2电极指(17)以及第1梳齿状电极(6)分别具有隔着间隙对置的第2对置部。各第1对置部以及各第2对置部中的至少任一对置部为第2部分(B)，IDT电极(3)中的第2部分(B)以外的部分为第1部分(A)。第2金属的密度比第1金属的密度高。
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公开(公告)号：CN113196656A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980081989.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中泽秀太郎
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制IMD的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)和设置在压电性基板(2)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)具有包含多个第1电极指(16)的第1梳齿状电极(6)以及包含多个第2电极指(17)的第2梳齿状电极(7)。IDT电极(3)具有主电极层由第1金属构成的第1部分(A)和主电极层由第2金属构成的第2部分(B)。多个第1电极指(16)以及第2梳齿状电极(7)分别具有隔着间隙对置的第1对置部，多个第2电极指(17)以及第1梳齿状电极(6)分别具有隔着间隙对置的第2对置部。各第1对置部以及各第2对置部中的至少任一对置部为第2部分(B)，IDT电极(3)中的第2部分(B)以外的部分为第1部分(A)。第2金属的密度比第1金属的密度高。
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