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公开(公告)号：CN101510059A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910129713.7
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN100487860C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480037202.8
申请日：2004-12-15
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种台装置(PST)被提供以：支撑器(PH)，其具有支撑衬底(P)的衬底支撑表面(33A)；台(52)，其支撑和移动支撑器(PH)；以及回收装置(60)，其被布置在支撑器(PH)附近，并且具有亲液部分(3、5)，其中每一个的至少一部分是亲液性的，其利用亲液部分(3、5)来回收液体(1)。结果，防止了液体渗透到衬底和支撑器之间的空间中，即使在通过用液体填充投射光学系统和衬底之间的空间来执行曝光处理时也是如此。
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公开(公告)号：CN101099224A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001682.1
申请日：2006-04-21
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法。其中，浸液装置(132)具有混入机构，该混入机构在向配置于投影光学系统(PL)的光射出侧的物体(部件)表面的疏液膜上供应的液体中，混入并溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质；并且，将溶解有该规定物质的液体(Lq)供应到疏液膜上来形成浸液区域。
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公开(公告)号：CN1864244A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029466.9
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN103439863B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310051383.0
申请日：2005-06-07
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 白石健一
CPC classification number: G03F7/70875 , G03B27/42 , G03F7/70341 , G03F7/70916
Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。
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公开(公告)号：CN102918630A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026454.0
申请日：2011-04-04
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 清洗方法包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第1液体；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收供给到接液构件的第2液体；以及执行使回收的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
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公开(公告)号：CN101510059B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910129713.7
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN100555568C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200680013413.7
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041
Abstract: 一种曝光方法，其包括下述步骤：在基板(P)上形成浸渍区域(LR)；经过浸渍区域(LR)内的液体(LQ)，向基板(P)照射曝光用光(EL)来对基板(P)进行曝光；使浸渍区域(LR)的液体(LQ)与基板(P)上的第1区域(S1～S37、101)相接触的接触时间的累计值不超过预定的容许值。
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公开(公告)号：CN100541719C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200680001682.1
申请日：2006-04-21
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法。其中，浸液装置(132)具有混入机构，该混入机构在向配置于投影光学系统(PL)的光射出侧的物体(部件)表面的疏液膜上供应的液体中，混入并溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质；并且，将溶解有该规定物质的液体(Lq)供应到疏液膜上来形成浸液区域。
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公开(公告)号：CN101164145A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013413.7
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041
Abstract: 一种曝光方法，其包括下述步骤：在基板(P)上形成浸渍区域(LR)；经过浸渍区域(LR)内的液体(LQ)，向基板(P)照射曝光用光(EL)来对基板(P)进行曝光；使浸渍区域(LR)的液体(LQ)与基板(P)上的第1区域(S1～S37、101)相接触的接触时间的累计值不超过预定的容许值。
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