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公开(公告)号：CN102692777A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210201263.X
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置解消颜色不均匀，且具有高可视性和高图像质量。此外，还提供高开口率和高图像质量的液晶显示装置。其中，以与用作电连接到薄膜晶体管的源区域或漏区域的接触孔重叠的方式选择性地提供遮光层。或者，由于通过与接触孔重叠地配置具有开口的着色层（彩色滤光片）的开口部分，液晶分子的取向无序的影响不反映到显示，因此可以提供高图像质量的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN100576468C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200410076974.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/978
Abstract: 因为玻璃中包含钠，或者玻璃本身具有低耐热性，不能实现使用在玻璃衬底等上形成的TFT制成CPU。在以高速运行的CPU情况下，要求TFT的栅极长度较短些。然而，因为玻璃衬底具有大偏转，栅极电极不能蚀刻成具有足以用于CPU的短的栅极长度。按照本发明，在玻璃衬底上形成的结晶的半导体膜上形成导电膜，在导电膜上形成掩模，使用掩模蚀刻导电膜；这样，形成具有栅极长度为1.0μm及以下的薄膜晶体管。特别，通过用激光照射，使在玻璃衬底上形成的无定形半导体膜结晶化来形成结晶的半导体膜。
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公开(公告)号：CN101419987A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175027.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78678
Abstract: 本发明是“半导体装置以及其制造方法”。在本发明中，通过使用第一多级灰度光掩模的曝光形成第一抗蚀剂图案，然后对第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层及第二半导体层进行蚀刻，来形成岛状单层及岛状叠层。在此，在岛状单层及岛状叠层的侧面形成侧壁。再者，通过使用第二多级灰度光掩模的曝光形成第二抗蚀剂图案，然后对第二导电层及第二半导体层进行蚀刻，来形成薄膜晶体管、像素电极、及连接端子。之后，通过以第一导电层和第二导电层的金属层为掩模的从背面的曝光形成第三抗蚀剂掩模，然后对第三绝缘层进行蚀刻，来形成保护绝缘层。
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公开(公告)号：CN1892387A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610099773.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133345 , G02F2001/136222
Abstract: 在本发明中，目的是提供一种液晶显示器件及其制造方法，其中，在固定有源矩阵衬底和反衬底时无须精确的位置对准，且不影响电场从电极施加到液晶。根据本发明的一个特点，用有源矩阵衬底来形成液晶显示器件，其中，包括多个TFT、布线等的驱动电路以及包括多个TFT、布线、象素电极等的象素部分，被形成在配备有遮光膜和成色膜的衬底上，且液晶显示器件具有液晶被注入在有源矩阵衬底与反衬底之间的结构。
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公开(公告)号：CN103257491B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310159591.2
申请日：2007-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362
Abstract: 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102692777B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210201263.X
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置解消颜色不均匀，且具有高可视性和高图像质量。此外，还提供高开口率和高图像质量的液晶显示装置。其中，以与用作电连接到薄膜晶体管的源区域或漏区域的接触孔重叠的方式选择性地提供遮光层。或者，由于通过与接触孔重叠地配置具有开口的着色层（彩色滤光片）的开口部分，液晶分子的取向无序的影响不反映到显示，因此可以提供高图像质量的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN101527282B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200810183698.X
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1288
Abstract: 本发明的目的在于：在以边缘场切换模式驱动的液晶显示装置的制造方法中，通过缩减光掩模数来实现制造步骤的简化和制造成本的缩减。其包括如下步骤：在具有透光性的绝缘衬底上按顺序层叠形成第一透明导电膜及第一金属膜；使用第一光掩模的多级灰度掩模加工第一透明导电膜及第一金属膜的形状；按顺序层叠形成绝缘膜、第一半导体膜、第二半导体膜、第二金属膜；使用第二光掩模的多级灰度掩模加工第二金属膜、第二半导体膜的形状；形成保护膜；使用第三光掩模加工保护膜的形状；形成第二透明导电膜；以及使用第四光掩模加工第二透明导电膜的形状。
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公开(公告)号：CN101490610B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200780026907.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1339 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362
Abstract: 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
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公开(公告)号：CN102646685A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210110904.0
申请日：2001-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , H01L27/124 , H01L27/156 , H01L29/6675 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备及其制造方法。按照本发明的一个方面，半导体设备包括：在一个衬底上的象素部分，包括至少一个第一n沟道型薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线，该n沟道型薄膜晶体管包括在一个绝缘表面上的一个半导体层，在该半导体层上的一个绝缘薄膜和在该绝缘薄膜上的一个栅极；一个在该衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三n沟道薄膜晶体管；一个在该衬底上的电镀的端子部分。
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公开(公告)号：CN102290432A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110170657.9
申请日：2006-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/05 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/055 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3279 , H01L29/4908 , H01L51/0023 , H01L51/56
Abstract: 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线，但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。由此，由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线，因此可以解决信号延迟等问题。
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