公开(公告)号：CN1604291A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410076974.4

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶布敦生 ,  斋藤晓 ,  藤川最史

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/978

Abstract: 因为玻璃中包含钠，或者玻璃本身具有低耐热性，不能实现使用在玻璃衬底等上形成的TFT制成CPU。在以高速运行的CPU情况下，要求TFT的栅极长度较短些。然而，因为玻璃衬底具有大偏转，栅极电极不能蚀刻成具有足以用于CPU的短的栅极长度。按照本发明，在玻璃衬底上形成的结晶的半导体膜上形成导电膜，在导电膜上形成掩模，使用掩模蚀刻导电膜；这样，形成具有栅极长度为1.0μm及以下的薄膜晶体管。特别，通过用激光照射，使在玻璃衬底上形成的无定形半导体膜结晶化来形成结晶的半导体膜。

公开(公告)号：CN100576468C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200410076974.4

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶布敦生 ,  斋藤晓 ,  藤川最史

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/978

Abstract: 因为玻璃中包含钠，或者玻璃本身具有低耐热性，不能实现使用在玻璃衬底等上形成的TFT制成CPU。在以高速运行的CPU情况下，要求TFT的栅极长度较短些。然而，因为玻璃衬底具有大偏转，栅极电极不能蚀刻成具有足以用于CPU的短的栅极长度。按照本发明，在玻璃衬底上形成的结晶的半导体膜上形成导电膜，在导电膜上形成掩模，使用掩模蚀刻导电膜；这样，形成具有栅极长度为1.0μm及以下的薄膜晶体管。特别，通过用激光照射，使在玻璃衬底上形成的无定形半导体膜结晶化来形成结晶的半导体膜。