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公开(公告)号：CN1873932A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087709.5
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/13 , H01L21/7813 , H01L27/1266 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供了低成本、高可靠性的薄的半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。在衬底上方依次形成剥离层、晶体管和绝缘层；形成开口以暴露出剥离层的至少一部分；并且通过物理方法从衬底上剥离该晶体管。剥离层通过使用溶液的方法形成金属膜和与该金属膜接触的金属氧化物膜来形成。
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公开(公告)号：CN1734750A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091376.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/13 , H01L27/28 , H01L29/78603 , H01L2924/3511
Abstract: 对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加，需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高，且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外，还可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。
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公开(公告)号：CN1976010B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200610163786.4
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214
Abstract: 第一半导体集成电路和第二半导体集成电路，其被设置在第一衬底之上使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻，通过多个转移操作被转移到另外的衬底。在形成在第一衬底之上的第一半导体集成电路和第二半导体集成电路被分别转移到另外的衬底(第四衬底和第五衬底)之后，这些电路被分成对应于每一个半导体集成电路的半导体器件。在第四衬底之上第一半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离，以及在第五衬底之上第二半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离。因此，可以获得第四衬底和第五衬底中的每一个的大的分割边限。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1873932B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200610087709.5
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/13 , H01L21/7813 , H01L27/1266 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供了低成本、高可靠性的薄的半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。在衬底上方依次形成剥离层、晶体管和绝缘层；形成开口以暴露出剥离层的至少一部分；并且通过物理方法从衬底上剥离该晶体管。剥离层通过使用溶液的方法形成金属膜和与该金属膜接触的金属氧化物膜来形成。
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公开(公告)号：CN1976005B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610163794.9
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/78 , H01L27/1214
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法。在第一衬底之上形成多个第一半导体集成电路、多个第二半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个相邻、多个第三半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个和该多个第二半导体集成电路的一个相邻、以及多个第四半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个、该多个第二半导体集成电路的一个、和该多个第三半导体集成电路的一个相邻。形成第一保护层以覆盖第一半导体集成电路和第一半导体集成电路外围的第二衬底的表面。分割第二衬底和保护层以便该多个第一半导体集成电路被分成单独的块并且部分第二衬底留在第一半导体集成电路的外围。
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公开(公告)号：CN101019237A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580028239.9
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n－型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p－型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。
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公开(公告)号：CN1976010A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163786.4
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214
Abstract: 用于制造半导体器件的方法，第一半导体集成电路和第二半导体集成电路，其被设置在第一衬底之上使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻，通过多个转移操作被转移到另外的衬底。在形成在第一衬底之上的第一半导体集成电路和第二半导体集成电路被分别转移到另外的衬底(第四衬底和第五衬底)之后，这些电路被分成对应于每一个半导体集成电路的半导体器件。在第四衬底之上第一半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离，以及在第五衬底之上第二半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离。因此，可以获得第四衬底和第五衬底中的每一个的大的分割边限。
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公开(公告)号：CN1716575A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078881.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2224/83 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。
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