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公开(公告)号：CN119753828A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411921844.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及金属氧氮化物膜的制造方法。提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。
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公开(公告)号：CN112352318A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043643.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物、第五氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三导电体。第五氧化物与第二氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化物的侧面及第四氧化物的侧面接触。第二氧化物包含In、元素M及Zn。第一氧化物及第五氧化物各自包含第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化物及第四氧化物各自包含元素M。第三氧化物及第四氧化物具有其元素M的浓度比第二氧化物高的区域。
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公开(公告)号：CN111373515A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075796.3
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。
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公开(公告)号：CN110506325A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201880024826.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。在氧化物上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成第二绝缘体，在第二绝缘体上形成导电体，以接触于氧化物的顶面、第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面及导电体的侧面的方式形成第三绝缘体，在减压气氛下连续形成第一绝缘体及第二绝缘体。
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公开(公告)号：CN101887842A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010178206.5
申请日：2010-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 奥野直树
IPC: H01L21/00 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种SOI衬底的制造方法及SOI衬底。本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底来制造SOI衬底时产生的硅层表面的粗糙。或者，本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高成品率的半导体装置。通过对接合衬底照射加速了的离子来在该接合衬底中形成脆化区，在接合衬底或支撑衬底的表面上形成绝缘层，隔着绝缘层使接合衬底和支撑衬底贴合并在接合衬底和支撑衬底的一部分中形成不贴合的区域，通过进行热处理，在脆化区中分离接合衬底来在支撑衬底上形成半导体层。
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