公开(公告)号：CN101017872A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710008091.3

申请日：2007-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  古川忍 ,  森末将文 ,  藤井严

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01J9/2275 ,  G09G3/30 ,  G09G2300/0426

Abstract: 本发明的目的在于提供进一步降低功耗，提高发光效率，并且具有高性能及高可靠性的显示器件。在本发明中，通过以下步骤来制造发光元件：对发光材料照射光；将照射了光的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液涂敷在第一电极层上，以形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层。还可以在第一电极层和发光层之间或在第二电极层和发光层之间提供绝缘层。

公开(公告)号：CN1855573A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610084049.5

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今林良太 ,  古川忍 ,  矶部敦生 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm－3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

公开(公告)号：CN102148257A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010620965.2

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  石塚章广 ,  古川忍 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施例是一种薄膜晶体管，它包括：栅电极层；栅绝缘层，设置成使得覆盖栅电极层；第一半导体层，与栅电极层完全重叠；第二半导体层，设置在第一半导体层之上并且与其接触，而且具有比第一半导体层更低的载流子迁移率；杂质半导体层，设置成与第二半导体层接触；侧壁绝缘层，设置成使得覆盖第一半导体层的至少侧壁；以及源和漏电极层，设置成至少与杂质半导体层接触。第二半导体层可由在第一半导体层之上相互分开的部分组成。

公开(公告)号：CN1855573B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610084049.5

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今林良太 ,  古川忍 ,  矶部敦生 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm-3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

公开(公告)号：CN101116187B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580047753.7

申请日：2005-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大泽信晴 ,  平形吉晴 ,  古川忍

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的目标是提供一种有机场效应晶体管，其可以减小在与由有机半导体材料形成的半导体层的界面处的能垒(在本发明中称为“有机场效应晶体管”)。将包括有机化合物和金属氧化物的复合层用于该有机场效应晶体管的电极，换言之，该复合层被用于该有机场效晶体管内源电极或漏电极的至少一部分。

公开(公告)号：CN1855570A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610068053.2

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古川忍 ,  今林良太

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0562

Abstract: 本发明的目的是在保持传导载流子的沟道的有机半导体和栅极绝缘体层的界面的平坦性并且不降低成品率的情况下，形成具有结晶性高的有机半导体的有机晶体管。本发明的特征是将有机半导体层形成为叠层结构，至少上层的有机半导体层具有多晶状态或单晶状态，下层的有机半导体层由起到沟道作用的材料来构成。通过提供结晶性高的上层的有机半导体层，可以提高载流子迁移率，并且通过提供下层的有机半导体层，可以补充起因于该上层的有机半导体层的不充分的接触。

公开(公告)号：CN1780015A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116089.9

申请日：2005-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古川忍

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0012 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了一种方法，在制造具有分子取向的有机半导体中，该方法能够通过摩擦使有机半导体层中的分子定向，从而使有机半导体层中的分子定向而不损坏有机半导体层，并且该方法通过摩擦栅极绝缘膜使有机半导体层中的分子定向，而不损失栅极绝缘膜与有机半导体层之间界面的平坦性。本发明的一个特征是，在制造半导体器件中，通过将具有定向膜的第二衬底提供给具有栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极和有机半导体层的第一衬底使得定向膜与有机半导体层接触，然后加热，在加热之后快速或慢速冷却，从而高度定向有机半导体层中的分子。