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公开(公告)号：CN101111889B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680003467.5
申请日：2006-01-31
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/667 , G11B5/8404 , H01F10/30 , H01F10/3286
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁性记录介质，其能够实现信息的高密度记录和再现，及其制造过程，以及磁性记录和再现装置。所提供的垂直磁性记录介质至少具有软磁性底层和位于盘形非磁性基底上的垂直磁性记录层，其中该软磁性底层具有至少两个软磁性层和位于两个软磁性层之间的Ru或Re层；该软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向；该软磁性底层的易磁化轴基本上沿着除了非磁性基底的径向之外的方向分布，并且沿着该软磁性底层的易磁化轴方向的反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。
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公开(公告)号：CN100578626C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200580031237.5
申请日：2005-09-15
Abstract: 一种垂直磁记录介质，其通过退火具有较高的矫顽力，为了实现该目的，本发明提供一种制造垂直磁记录介质的方法，该垂直磁记录介质包括沉积在非磁性基底上的磁记录层，其中至少相互层叠包含Co的磁性层和扩散层，并且对所层叠的层进行退火以制成磁记录层。
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公开(公告)号：CN100555421C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200680020650.6
申请日：2006-06-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和一种磁记录和再现装置。所述磁记录介质包括基底11、在所述基底11上形成的衬层12、在所述衬层12上形成的磁记录层13、以及在所述磁记录层13上形成的保护层14，所述磁记录层13由相互交换耦合的主记录层16和次记录层15构成。所述主记录层16具有磁性颗粒以及包围所述磁性颗粒的非磁性材料，并具有垂直磁性各向异性。所述次记录层15由具有负的晶体磁性各向异性的材料构成，并且其易磁化面在所述介质的平面内。
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公开(公告)号：CN100446089C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610107756.1
申请日：2006-07-25
Abstract: 一种用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底(11)，包括其上加工的凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及在每一个凹陷(11b)处形成的纹理结构。
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公开(公告)号：CN100433135C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610094224.9
申请日：2006-06-27
CPC classification number: G11B5/7315
Abstract: 一种磁记录介质包括：具有记录磁道(11)和隔离记录磁道(11)的隔离区域(12)的基底(1)，有凸起和凹陷图形形成于其上的隔离区域(12)，以及沉积在基底(1)上的记录薄膜(2，3)，其中，记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于2nm且小于等于7nm，记录磁道(11)顶部和隔离区域(12)底部间的高度差大于等于10nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100412697C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610094258.8
申请日：2006-06-28
IPC: G03F7/20 , G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。
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公开(公告)号：CN101048815A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036623.3
申请日：2005-10-28
CPC classification number: G11B5/732
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其中，记录密度大大地增加了且晶体结构的偏差很小。一种垂直磁记录介质具有至少一个软磁性衬层、一个取向控制层、一个垂直磁性层、和一个保护层，它们形成在一个非磁性基底上，所述取向控制层由多层构成，包括所述基底一侧的一个籽晶层和一个中间层。最好是，所述籽晶层和所述中间层都具有六角密堆积(hcp)结构，且所述籽晶层的平均颗粒尺寸介于8nm和20nm之间。所述籽晶层的主要成分最好是Mg，所述中间层的主要成分最好是Ru。
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公开(公告)号：CN1988004A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610168781.0
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/1278 , G11B5/82
Abstract: 一种磁记录介质(10)，其中形成多层底层(7)，多层底层(7)包括包含对齐在(111)平面的Cu的第一底层(3)，以及形成在第一底层上的并且包含Cu和氮作为主要成分的第二底层(4)。
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公开(公告)号：CN1905015A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107756.1
申请日：2006-07-25
Abstract: 一种用于具有离散磁道的磁记录介质的被构图基底(11)，包括其上加工的凸起(11a)和凹陷(11b)图形，以及在每一个凹陷(11b)处形成的纹理结构。
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公开(公告)号：CN101203908A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680020650.6
申请日：2006-06-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和一种磁记录和再现装置。所述磁记录介质包括基底11、在所述基底11上形成的衬层12、在所述衬层12上形成的磁记录层13、以及在所述磁记录层13上形成的保护层14，所述磁记录层13由相互交换耦合的主记录层16和次记录层15构成。所述主记录层16具有磁性颗粒以及包围所述磁性颗粒的非磁性材料，并具有垂直磁性各向异性。所述次记录层15由具有负的晶体磁性各向异性的材料构成，并且其易磁化面在所述介质的平面内。
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