公开(公告)号：CN104091747A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410366000.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理设备。使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。

公开(公告)号：CN102549724B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200980161197.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

公开(公告)号：CN101277580B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810090518.3

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RE电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RE电极外加规定频率的RE电压的RE电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

公开(公告)号：CN1319882A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法,它包括:在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤;在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤;在下层膜的表面上形成中间膜的步骤;在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤;将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN105280489A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510102366.4

申请日：2015-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤阳介 ,  宇井明生 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32577 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子处理方法，该等离子处理装置具备有：腔室、导入部、基板电极、高频电源、低频电源和切换机构。导入部向腔室内导入处理气体。基板电极配置在腔室内，直接或间接载置有基板，具有交互配置的第1、第2电极元件群。高频电源输出40MHz以上的高频电压，用于使处理气体离子化，产生等离子体。低频电源输出20MHz以下的低频电压，用于从等离子体中引入离子。切换机构向所述第1、第2电极元件群交互施加所述低频电压。

公开(公告)号：CN102549724A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980161197.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  菊谷圭介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。

公开(公告)号：CN1244956C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法，它包括：在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤；在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤；在下层膜的表面上形成中间膜的步骤；在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤；对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤；将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤；将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN102446737B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110281390.0

申请日：2011-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。

公开(公告)号：CN103681196A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310443329.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  富冈和广 ,  山本洋 ,  今村翼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。

公开(公告)号：CN102446737A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110281390.0

申请日：2011-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。