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公开(公告)号：CN1779823A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108548.9
申请日：2005-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光学记录介质包括：一记录膜，其在光照射条件下引起晶相和非晶相两者间的可逆相变；以及一形成为与该记录膜其中至少一个表面接触的界面膜，其包含Hf(铪)、O(氧)、以及N(氮)。
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公开(公告)号：CN1770287A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107606.6
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光记录媒体具有：盘衬底；以及两个或者更多个记录层，在介电层插在其间的情况下，被互相分离地设置，以通过光辐照同时产生光学变化，其中与第二记录层和后面的记录层相比，靠近盘衬底的第一记录层具有较高的光学变化温度和较高的消光系数。
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公开(公告)号：CN101013586A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号：CN1953073A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142564.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有能利用光照射可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C的SiOC膜，其C浓度为0.1－30原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1311451C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03159492.1
申请日：2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化，位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)，以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
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公开(公告)号：CN1891853A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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公开(公告)号：CN1294582C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有从光入射侧依次层叠第一介电体膜、相变型记录膜、第二介电体膜、反射膜而成的叠层结构，上述相变型记录膜利用光照射被可逆地记录和擦除，其特征在于：上述第一介电体膜是依次层叠高折射率介电体膜、低折射率介电体膜和高折射率介电体膜而成的层叠介电体膜，上述低折射率介电体膜为含有Si、O和C，且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
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公开(公告)号：CN1614704A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410089695.1
申请日：2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜，噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
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公开(公告)号：CN1581309A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056330.9
申请日：2004-08-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24082 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明提供了一种信息记录介质，和能够稳定地针对信息记录介质记录和还原信息，并且能够消除串扰的影响的信息记录方法，该信息记录介质能够从其一侧针对2个记录层记录和还原信息。在本发明中，在相应记录层的初始化的同时，使用椭圆激光光斑(33)向信息记录介质(1)的每个第一和第二记录层形成预标记(不同于初始化)。通过这个操作，能够被地从具有至少两个记录层的信息记录介质还原信息。
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