公开(公告)号：CN1290117C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03102766.0

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸達也 ,  天野実 ,  齐藤好昭 ,  高橋茂樹 ,  西山勝哉 ,  浅尾吉昭 ,  與田博明 ,  上田知正 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。

公开(公告)号：CN1252824C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03152413.3

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 與田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  天野実 ,  岸逹也 ,  細谷啓司 ,  宫本順一

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。

公开(公告)号：CN1448917A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108385.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村志保 ,  羽根田茂 ,  與田博明

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228

Abstract: 提供一种固体磁性元件，其特征在于：具备，包含磁化方向被固定在第1方向上的第1铁磁性体的第1参照磁性部；包含磁化方向被固定在第2方向上的第2铁磁性体的第2参照磁性部；被设置在上述第1以及第2参照磁性部之间，包含第3铁磁性体的记录磁性部；被设置在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间的磁区分断部；被设置在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间的中间部，通过使写入电流在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，使上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第1方向大致平行或者大致反平行，通过使读出电流在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，可以检测上述第3磁性体的磁化方向与上述第2方向的相对关系。