公开(公告)号：CN101911287B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200880122659.7

申请日：2008-12-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 国谷卓司 ,  小森阳介 ,  胜又龙太 ,  福住嘉晃 ,  鬼头杰 ,  木藤大 ,  田中启安 ,  石月惠 ,  青地英明

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 通过在硅衬底上交替地层叠多个介电膜和电极膜形成层叠体。接下来，在层叠体中形成沿层叠方向延伸的通孔。接下来，执行选择性氮化处理，从而在通孔的内表面的与电极膜对应的区域中选择性地形成由氮化硅制成的电荷层。接下来，执行高压氧化处理，从而在电荷层和电极膜之间形成由氧化硅制成的阻止层。接下来，在通孔的内侧表面上形成由氧化硅制成的隧道层。由此，可制造出其中电荷层被分割用于每个电极膜的闪速存储器。

公开(公告)号：CN101202103A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710160031.3

申请日：2004-04-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶山健 ,  福住嘉晃 ,  与田博明 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/16 ,  G06F13/00

CPC classification number: G06K19/06187 ,  G11C11/16

Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。

公开(公告)号：CN104835824A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064937.X

申请日：2015-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  荒井伸也 ,  辻大毅 ,  青地英明 ,  田中启安

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 本申请涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：连接部件，包含半导体材料；第一电极膜，设置在所述连接部件的至少上方；第一绝缘膜，设置在所述第一电极膜上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由第二电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述第二电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间、及所述连接部件与所述第一电极膜之间；以及电荷储存层，设置在所述第三绝缘膜中的至少所述第二电极膜与所述半导体柱之间。

公开(公告)号：CN102024495B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010135747.X

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 板垣清太郎 ,  福住嘉晃 ,  岩田佳久

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/26 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11578 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括：存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。

公开(公告)号：CN102037557B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200880120172.5

申请日：2008-12-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  胜又龙太 ,  木藤大 ,  鬼头杰 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  青地英明

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/513

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件具有多个存储器串，在每一个存储器串中，多个电可重写的存储器基元被串联连接。每一个所述存储器串包括：第一半导体层，每一个所述第一半导体层都具有沿相对于衬底的垂直方向延伸的柱状部分的对和被形成为耦合所述柱状部分的对的下端的耦合部分；电荷存储层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面；以及第一导电层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面和所述电荷存储层。所述第一导电层用作所述存储器基元的栅极电极。

公开(公告)号：CN103310847A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210332585.8

申请日：2012-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  青地英明

IPC: G11C19/34

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/02 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0833 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明涉及移位寄存器存储器及其驱动方法。根据本实施例的移位寄存器存储器包括磁柱，该磁柱包括多个磁性层和在彼此邻近的磁性层之间提供的非磁性层。应力施加部分向磁柱施加应力。磁场施加部分向磁柱施加静磁场。应力施加部分向磁柱施加应力，以便将磁性层的磁化状态沿磁性层的层叠方向转移。

公开(公告)号：CN102037557A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200880120172.5

申请日：2008-12-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  胜又龙太 ,  木藤大 ,  鬼头杰 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  青地英明

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/513

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件具有多个存储器串，在每一个存储器串中，多个电可重写的存储器基元被串联连接。每一个所述存储器串包括：第一半导体层，每一个所述第一半导体层都具有沿相对于衬底的垂直方向延伸的柱状部分的对和被形成为耦合所述柱状部分的对的下端的耦合部分；电荷存储层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面；以及第一导电层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面和所述电荷存储层。所述第一导电层用作所述存储器基元的栅极电极。

公开(公告)号：CN100461293C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510054834.1

申请日：2005-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228

Abstract: 提供一种包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置包括：第一布线；第二布线；存储单元；以及接触栓塞。在层间绝缘膜中形成第一布线。在层间绝缘膜上形成第二布线。存储单元包含在第二布线上形成的第一铁磁性膜、在第一铁磁性膜上形成的隧道阻挡膜、以及在隧道阻挡膜上形成的第二铁磁性膜。在第一布线上形成接触栓塞，它连接第一布线和第二布线，其上表面位于比第二布线高的位置。

公开(公告)号：CN100405500C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410032846.X

申请日：2004-04-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶山健 ,  福住嘉晃 ,  与田博明 ,  宫本顺一

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06K19/06187 ,  G11C11/16

Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。

公开(公告)号：CN100390897C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200310114148.X

申请日：2003-11-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种可防止写入电流值因存储单元不同而产生误差的磁存储装置。磁存储装置包括沿第1方向相互间隔设置，记录信息的第1、第2磁阻元件。用来给第1、第2磁阻元件施加磁场的第1布线沿第1方向设置。用来将第1布线来的磁场有效施加于第2磁阻元件的第1磁路在第1布线的侧面延伸并在第1、第2磁阻元件间形成缺口部分。