公开(公告)号：CN104835824A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064937.X

申请日：2015-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  荒井伸也 ,  辻大毅 ,  青地英明 ,  田中启安

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 本申请涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：连接部件，包含半导体材料；第一电极膜，设置在所述连接部件的至少上方；第一绝缘膜，设置在所述第一电极膜上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由第二电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述第二电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间、及所述连接部件与所述第一电极膜之间；以及电荷储存层，设置在所述第三绝缘膜中的至少所述第二电极膜与所述半导体柱之间。