公开(公告)号：CN115706143A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210097012.5

申请日：2022-01-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 彦坂年辉 ,  名古肇 ,  田岛纯平 ,  布上真也

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  C23C16/30

Abstract: 提供一种氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法，能够抑制翘曲。根据实施方式，氮化物半导体包括基体、氮化物部件以及设置于所述基体与所述氮化物部件之间的中间区域。所述氮化物部件包括：含有Alx1Ga1‑x1N的第1氮化物区域，其中，0

公开(公告)号：CN109524455B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810163337.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤大望 ,  吉田学史 ,  田岛纯平 ,  上杉谦次郎 ,  彦坂年辉 ,  汤元美树 ,  布上真也 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778

Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N(0

公开(公告)号：CN109524455A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201810163337.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤大望 ,  吉田学史 ,  田岛纯平 ,  上杉谦次郎 ,  彦坂年辉 ,  汤元美树 ,  布上真也 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778

Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Alx1Ga1-x1N(0

公开(公告)号：CN109524308A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201810160353.6

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田岛纯平 ,  彦坂年辉 ,  上杉谦次郎 ,  木村重哉 ,  蔵口雅彦 ,  布上真也

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，能够得到高阈值。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3层以及绝缘层。第1层包括远离第1电极的第1面、远离第2电极的第2面以及远离第3电极并且倾斜的第3面。第2层包括设置于第1电极与第1面之间的第1部分区域、设置于第2电极与第2面之间的第2部分区域以及设置于第3电极与第3面之间的第3部分区域。第3层包括设置于第1电极与第1部分区域之间的第4部分区域、设置于第2电极与第2部分区域之间的第5部分区域以及设置于第3电极与第3部分区域之间的第6部分区域。与第4、第5部分区域、第1、第2电极分别电连接。绝缘层设置于第3电极与第6部分区域之间。

公开(公告)号：CN103165787A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210535484.0

申请日：2012-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山直治 ,  佐藤泰辅 ,  财满康太郎 ,  田岛纯平 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  布上真也

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。

公开(公告)号：CN103165778A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210525705.6

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤泰辅 ,  财满康太郎 ,  田岛纯平 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。所述方法可以包括将结构体的堆叠主体接合到衬底主体。所述结构体包括生长衬底和设置在所述生长衬底上的所述堆叠主体。所述堆叠主体包括第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二氮化物半导体膜。所述方法可以包括去除所述生长衬底。所述方法可以包括形成多个堆叠体。所述方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成凹凸部。所述方法可以包括形成多个半导体发光元件。