公开(公告)号：CN103999399A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280053304.3

申请日：2012-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 长井裕士 ,  铃木俊宏 ,  柴田昇 ,  加藤拓 ,  松下达之

IPC: H04L9/08 ,  H04L9/32 ,  G11B20/00

CPC classification number: H04L9/0816 ,  G11B20/00086 ,  G11B20/00115 ,  G11B20/0021 ,  G11B2220/2516 ,  G11B2220/60 ,  H04L9/0822 ,  H04L9/0833 ,  H04L9/0897 ,  H04L9/32 ,  H04L2209/601

Abstract: 根据一个实施方式，一种设备包括：存储器和认证器。所述存储器包括第一区域、第二区域以及第三区域。第一区域用于存储NKey和SecretID，第二区域用于存储索引信息。E-SecretID由SecretID生成。第三区域存储包括由FKey生成的信息的FKB。认证器对外部设备进行认证。HKey通过使用NKey和HC由AES加密计算生成。SKey通过使用HKey和RN由AES加密处理生成。执行了单向转换计算。E-SecretID、FKB以及Oneway-ID被输出到外部设备。索引信息从第二区域被读取。

公开(公告)号：CN103907309A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280053234.1

申请日：2012-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 长井裕士 ,  铃木俊宏 ,  柴田昇 ,  加藤拓 ,  松下达之

IPC: H04L9/08 ,  H04L9/32 ,  G11B20/00

CPC classification number: H04L9/0816 ,  G11B20/00086 ,  G11B20/0021 ,  G11B20/00217 ,  G11B20/00253 ,  H04L9/0822 ,  H04L9/0833 ,  H04L9/0897 ,  H04L9/32 ,  H04L2209/601

Abstract: 根据一个实施方式，一种存储器包括：第一存储区，该第一存储区能够存储第一密钥(NKey)信息和对于认证方来说唯一的秘密识别信息(SecretID)、至少在被认证方被发货之后禁止从所述认证方外部读取来自所述第一存储区的数据和向所述第一存储区写入数据。

公开(公告)号：CN1681046B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200510065564.4

申请日：2000-06-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中智晴 ,  柴田昇 ,  丹沢徹

IPC: G11C16/06 ,  G11C7/00

CPC classification number: G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1072 ,  G11C7/1006 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2207/104

Abstract: 一种快闪存储器，可内部自动校正错误，与现有产品具有互换性。它包括：存储器段；指令接口3，接受外部指令产生控制信号；电路7，由写入指令信号激活，产生控制信号；错误校正电路11，由写入数据输入指令信号激活，与外部输入的第一信号同步，接受外部输入的写入数据，由写入指令激活，与控制信号同步，产生检查数据；电路17，相对各个存储器单元设置，将写入数据或检查数据取入暂存；写入电路13～15，由写入指令激活，将存储的写入数据和检查数据写入存储器段。

公开(公告)号：CN101964208A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010231412.8

申请日：2010-07-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柴田昇 ,  金箱和范

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5648

Abstract: 本发明提供不会增大存储比多值区域少的位的区域的存储容量，可高速写入并可延长制品的寿命的半导体存储装置。本半导体存储装置包括在1个单元存储n位(n是2以上的自然数)的数据的多个存储单元。多个存储单元内，在第1区域MLB的存储器MLC存储h(h≤n)位的数据，在第2区域SLB的存储器SLC存储i(i＜h)位的数据，在第2区域SLB的存储单元的改写次数达到规定值时，不在第2区域SLB的存储单元进行写入，在第1区域MLB的存储器存储i位的数据。

公开(公告)号：CN1323438C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200310118672.4

申请日：2003-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柴田昇 ,  田中智晴

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  G11C11/34 ,  G11C16/00

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/12 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5648

Abstract: 在存储i位数据的存储单元1中存储下一个数据时，事先在邻接的存储单元1中写入i位以下的数据。i位以下数据的写入比本来的阈值电压(存储i位数据时的实际阈值电压)低。写入邻接的存储单元2之后，提升存储单元1的阈值电压进行写入。在提升阈值电压进行写入前后，i位数据或是本来的阈值电压，或是比它低的阈值电压。为了加以区别，准备标志用的存储单元(标志单元)，进行对应该标志单元的数据的读出操作。