公开(公告)号：CN1365143A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01121856.8

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀池正人 ,  金箱和范

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供可以控制半导体芯片与光刻胶材料之间形成的装配膏的形成状态,可以减少在半导体芯片上发生的裂纹的半导体装置。具有:在基板11上边,各自以规定距离以下的间隔排列起来的多个光刻胶材料12;配置在已形成了多个光刻胶材料12的基板11上边的半导体芯片14;在基板11和半导体芯片14之间形成的用于粘接这些基板11和半导体芯片14的装配膏13。

公开(公告)号：CN101964208A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010231412.8

申请日：2010-07-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柴田昇 ,  金箱和范

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5648

Abstract: 本发明提供不会增大存储比多值区域少的位的区域的存储容量，可高速写入并可延长制品的寿命的半导体存储装置。本半导体存储装置包括在1个单元存储n位(n是2以上的自然数)的数据的多个存储单元。多个存储单元内，在第1区域MLB的存储器MLC存储h(h≤n)位的数据，在第2区域SLB的存储器SLC存储i(i＜h)位的数据，在第2区域SLB的存储单元的改写次数达到规定值时，不在第2区域SLB的存储单元进行写入，在第1区域MLB的存储器存储i位的数据。