公开(公告)号：CN104425432A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310726397.8

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间庄一 ,  志摩真也

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的实施方式提供通过抑制裂纹的发生来提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有电极衬垫11的半导体芯片1；设置在半导体芯片1上，具有使电极衬垫11的至少一部分露出的开口部30的绝缘树脂层3；具有连接衬垫41，以与电极衬垫11电连接的方式设置在绝缘树脂层3上的布线层4；设置在绝缘树脂层3上及布线层4上，具有使连接衬垫41的一部分露出的开口部52和覆盖连接衬垫41的周缘的被覆部51的绝缘树脂层5；在开口部30与连接衬垫41电连接的外部连接端子6。被覆部51的宽度为连接衬垫41的直径的2.5%以上。

公开(公告)号：CN104716104A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410452964.X

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 涩谷克则 ,  井本孝志 ,  本间庄一 ,  渡部武志 ,  高野勇佑

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种能够谋求减少无用电磁波泄漏的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含包括上部及侧部的导电性屏蔽层，所述上部以覆盖密封树脂层的上表面的方式设置，所述侧部以覆盖密封树脂层的侧面及基板的侧面的方式设置。配线层的一部分包含露出于基板的侧面且沿着基板的厚度方向被切断的切断面。配线层的切断面中的接地配线的切断面与屏蔽层电连接。接地配线的切断面的面积大于与接地配线的切断面平行的接地配线的截面面积。

公开(公告)号：CN1331218C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200410048157.8

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 友野章 ,  本间庄一

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166

Abstract: 提供一种半导体装置及其组装方法，把在半导体芯片和基板的连接中使用的焊锡材料因回流而产生的热应力限制在最小限度，在密封树脂中不产生空隙，可以防止半导体芯片元件面的破坏，特别可以防止配置在焊锡材料之上的低电容率绝缘膜的破损。该半导体装置包括：具有第1主面和与第1主面相对的第2主面的芯片装载基板(1)；配置在第2主面上的多个基板侧内部电极焊盘(2)；与基板侧内部电极焊盘(2)连接的第1焊锡球(3)；与第1焊锡球(3)连接的熔点高的第2焊锡球(4)；与第2焊锡球(4)连接的半导体芯片(6)；被封入第1焊锡球(3)以及第2焊锡球(4)的周围的密封树脂(7)。