公开(公告)号：CN101137269A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148832.8

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32137 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适合于对基板加工的离子能量，进一步能够减小该离子能量宽度来对加工形状进行精细控制的基板的等离子处理装置及等离子处理方法，所要实现的基板的等离子处理装置包括下列构成：内部可保持真空的真空室；配置于该真空室内，并构成为其中主面上保持待处理基板的RF电极；所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；对所述RF电极加上规定频率的RF电压用的RF电压外加手段；以及对所述RF电极加上规定的脉冲电压来使其与所述RF电压叠加用的脉冲电压外加手段。

公开(公告)号：CN102446737B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110281390.0

申请日：2011-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。

公开(公告)号：CN103681196A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310443329.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  富冈和广 ,  山本洋 ,  今村翼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。

公开(公告)号：CN102446737A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110281390.0

申请日：2011-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174

Abstract: 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。

公开(公告)号：CN101277580A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090518.3

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。