公开(公告)号：CN1476019A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03152413.3

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 舆田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  天野実 ,  岸逹也 ,  細谷啓司 ,  宫本順一

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。

公开(公告)号：CN100476991C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02148057.5

申请日：2002-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  浅尾吉昭 ,  齐藤好昭 ,  天野実 ,  高桥茂树 ,  岸达也 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76895 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。

公开(公告)号：CN1290117C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03102766.0

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸達也 ,  天野実 ,  齐藤好昭 ,  高橋茂樹 ,  西山勝哉 ,  浅尾吉昭 ,  與田博明 ,  上田知正 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。

公开(公告)号：CN1252841C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03108271.8

申请日：2003-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西山勝哉 ,  斉藤好昭 ,  天野実

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/00 ,  G11C11/15 ,  G11B5/39

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  Y10T428/1114

Abstract: 能取得即使减小尺寸，也能实现MR比大、热稳定性优异、开关磁场小的磁阻效应元件和使用该磁阻效应元件的磁存储器。包含隔着非磁性层层叠多个铁磁性层的存储层、具有至少一层铁磁性层的磁性膜、设置在所述存储层和所述磁性膜之间的隧道势垒层；所述存储层的铁磁性层由Ni-Fe-Co三元合金构成；所述存储层和所述隧道势垒层的界面以及所述磁性膜和所述隧道势垒层的界面的最大粗糙度为0.4nm以下。

公开(公告)号：CN1252824C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03152413.3

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 與田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  天野実 ,  岸逹也 ,  細谷啓司 ,  宫本順一

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。

公开(公告)号：CN1433021A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03102768.7

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斉藤好昭 ,  西山勝哉 ,  高桥茂树 ,  天野実 ,  上田知正 ,  与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久 ,  岸逹也

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。