公开(公告)号：CN1082718C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1212734A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN97192815.0

申请日：1997-03-04

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿劳霍

IPC: C23C26/02 ,  C23C18/14

CPC classification number: H01L21/02197 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C8/10 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/314 ,  H05K3/105

Abstract: 一个基体(5)位于沉积室(2)中,该基体确定了基体平面。一个阻隔板(6)置于基体之上,与基体相互隔开并平行,在与所说基体平行的平面上的所说阻隔板的面积与在所说基本平面上的所说基体的面积基本相同。阻隔板的平整度的容许偏差为所说阻隔板和所说基体之间平均距离的5%。产生一种雾气(66),使其在一缓冲室(42)中沉降,通过1微米的过滤器(33)过滤,流入基体与阻隔板之间的沉积室中以在基体上沉积一液体层。该液体经干燥在基体上形成一固体物质的薄膜(1130),后者随后被加入到集成电路(1110)的一个电子元件(1112)中。

公开(公告)号：CN1179232A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192642.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  拉里·D·麦克米兰

IPC: H01L21/3205 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C16/448 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 使用金属烷氧羧酸盐基液状前体溶液构成包含具有用超点阵生成体层有序化的分立的氧八面体层(124)和(128)的一种类型的混合层状超点阵材料(112)的铁电装置(100)。前体溶液包含多种以有效量生成层状超点阵材料的金属组分。这些金属组分被混合以包含能形成A/B层的A/B部分,能形成钙钛矿样AB八面体层(128)的钙钛矿样AB层部分,和能形成超点阵生成体层(116)的超点阵生成体部分。前体以液状形式置于基片上并退火以生成层状超点阵材料。

公开(公告)号：CN1180447A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97190141.4

申请日：1997-03-04

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·得阿劳霍

IPC: H01L21/3205

Abstract: 将液体底层涂料雾化并使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。将液体前体(64)雾化,使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。该底层涂料及前体被干燥并形成固体薄膜,然后该薄膜被退火并形成一集成电路(1110)中电子元件(1112)的一部分,例如另一存储器单元中的电介质。底层涂料是一种溶剂,及前体包括前体溶剂中的金属羧酸盐,金属醇盐或金属烷氧基羧酸盐。最好,底层涂料及前体的溶剂是相同的溶剂,如2－甲氧基乙醇、二甲苯类,n－乙酸丁酯及六甲基－二硅氧烷。

公开(公告)号：CN1199506A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN96194607.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电子工业株式会社 ,  塞姆特里克斯公司

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/92 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了一种薄膜铁电电容器(20),它包括带有粘结金属层(36)和贵金属部分(38)的底电极结构(26)。将该电极(26)沉积在薄膜缓冲层(24)上,所述缓冲层包含层状超点阵材料。将该缓冲层夹在基材(22)和底电极(26)之间。该电容器的制备方法包括:在形成底电极(26)之前,将液体前体沉积在基材(22)上。

公开(公告)号：CN1194060A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN96196432.4

申请日：1996-08-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C18/14 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种MIS器件(20)包括半导体基板(22)、氮化硅缓冲层(24)、铁电体金属氧化物超晶格材料(26)、和贵金属顶电极(28)。该层状的超晶格材料(26)优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成,该方法包括在层状超晶格材料沉积之前在该半导体基板上形成氮化硅。该层状超晶格材料优选采用在该前体溶液被加热时自发生成层状超晶格的液体聚烷氧化金属有机前体来沉积。在干燥前体液体期间的UV曝露使最终的晶体具有C－轴取向,并导致改进的薄膜电性能。

公开(公告)号：CN1179231A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192611.2

申请日：1996-03-14

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  拉里·D·麦克米兰 ,  卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约 ,  迈克尔·C·斯科特

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  C30B7/00 ,  C30B29/68 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28),同时用波长为180nm－300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤,同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后,薄膜在700℃—850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者,对液体前体进行UV辐射,薄膜可以用UV辐射退火,或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。

公开(公告)号：CN1181840A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN96193301.1

申请日：1996-04-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·库奇阿罗

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/60

Abstract: 一种集成电路电容器(20)包括底层电极结构(24),该结构具有粘结金属部分(34)、金属部分(36)以及第二贵金属层(40)。制造方法包括在沉积第二贵金属层(40)使退火粘结金属部分(34)和贵金属部分(36)退火,以形成阻挡区(38)。电极(24)优选与金属氧化物层(26)接触,该层由钙钛矿或类钙钛矿的层状超晶格材料制成。形成临时覆盖层(59),并在制造中除掉该层,该层用于使器件潜在的极化率增加至少40%。