公开(公告)号：CN1484312A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03127518.4

申请日：2003-08-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井英治 ,  伊东丰二

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  G11C11/21 ,  G11C11/24

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明提供一种电容元件及其制造方法。本发明的电容元件，由形成在基片(11)上的下部电极(15)、铁电薄膜(16)和上部电极(17)构成，其特征在于：铁电薄膜(16)用反应速度法进行成膜，下部电极(15)的膜厚为100nm以下，而且下部电极(15)的膜厚的偏差为10％以内。因此，能提供铁电薄膜成分偏差减小了的电容元件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1449045A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03107915.6

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，为达到可缩小包括电容元件的半导体装置的每一个电容元件的面积的目的。还有，由下部电极(16)、电容绝缘膜(17)及上部电极(18)组成的电容元件(19)，设置在MOS晶体管(30)的源扩散区域(30a)上的导电性插塞(13)的更上一层。再有，电容绝缘膜(17)是沿着设置在第二层间绝缘膜(15)上露出氧化屏障膜(14)的开口部分(15a)的底面和侧壁形成的，其结果是在电容绝缘膜(17)上形成沿导电性插塞(13)的贯通方向弯曲的弯曲部分(17a)。

公开(公告)号：CN1079190C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN98102751.2

申请日：1998-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦武敏 ,  藤井英治 ,  森和弘

IPC: A01K5/02

CPC classification number: H04B1/0343 ,  A01K5/02 ,  A01K5/0275

Abstract: 一种自动给饵系统包括一附连在宠物身体上的一非接触标签；和一用于自动向宠物供饵的自动喂饵装置。该自动给饵装置通过电子波访问该非接触标签并自该非接触标签的信息存储装置获得信息。通过该系统，该自动给饵系统在最佳的条件下向宠物供饵。由于在确认宠物存在后将饵食提供给饵食盘，防止了饵食变腐。

公开(公告)号：CN1284242C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200310118118.6

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1627501A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410078515.X

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  那须徹 ,  藤井英治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN1617344A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410076846.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1501502A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310118118.6

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1345088A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN1082719C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN96107139.7

申请日：1996-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治 ,  那须徹 ,  松田明浩

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面沉积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使其表面保持平整来沉积蚀刻速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成电容绝缘膜。

公开(公告)号：CN100552954C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN03107915.6

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，为达到可缩小包括电容元件的半导体装置的每一个电容元件的面积的目的。还有，由下部电极(16)、电容绝缘膜(17)及上部电极(18)组成的电容元件(19)，设置在MOS晶体管(30)的源扩散区域(30a)上的导电性插塞(13)的更上一层。再有，电容绝缘膜(17)是沿着设置在第二层间绝缘膜(15)上露出化化阻挡膜(14)的开口部分(15a)的底面和侧壁形成的，其结果是在电容绝缘膜(17)上形成沿导电性插塞(13)的贯通方向弯曲的弯曲部分(17a)。