公开(公告)号：CN102918647B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180019726.4

申请日：2011-04-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  空田晴之

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/51 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76849 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 一种电阻变化稳定且适合于细微化的电阻变化型的非易失性存储装置，具有：第1布线（101），由势垒金属层（101b）和主层（101a）构成，势垒金属层（101b）覆盖形成于第1层间绝缘层（103a）的布线槽的底面和侧面，主层（101a）填充所述布线槽的内部；第1电极（102），由贵金属构成，并覆盖第1布线（101）的上表面；多个存储单元孔（104），形成于第2层间绝缘层（103b）；电阻变化层（105），形成于存储单元孔（104）内，并与第1电极（102）相接；以及覆盖电阻变化层（105）和存储单元孔（104）的第2布线（106），在存储单元孔（104）附近的区域（101A）中，在第1布线（101）的宽度方向的任意截面中，主层（101a）被势垒金属层（101b）及第1电极（102）覆盖。

公开(公告)号：CN103210491A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201280003672.7

申请日：2012-03-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 空田晴之 ,  三河巧 ,  富永健司 ,  辻清孝

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化，其包括：形成电阻变化元件、接触孔（106）以及布线槽（108a）的工序；以及，以覆盖布线槽（108a）且不覆盖接触孔（106）的底面的方式，在层间绝缘层（102）以及（112）以及电阻变化层（104）上形成双向二极管元件的电流控制层（111）的工序。

公开(公告)号：CN102959711A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201280001036.0

申请日：2012-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 空田晴之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/515 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)具备：配置于基板(1)的主面上且由宽带隙半导体构成的半导体层(2)、配置于半导体层(2)且具有底面及侧面的沟槽(5)、配置于沟槽(5)的底面及侧面上的绝缘区域(11)、以及配置于沟槽(5)内且通过绝缘区域(11)而与半导体层(2)绝缘的导电层(7)，绝缘区域(11)包括：配置于沟槽(5)的底面及侧面上的栅极绝缘膜(6)；和在沟槽(5)的底部配置于栅极绝缘膜(6)与导电层(7)之间的空隙(10)，栅极绝缘膜(6)在沟槽(5)侧面的一部分上与导电层(7)相接、而在沟槽(5)底面上与导电层(7)并不相接，从沟槽(5)的底面到导电层(7)的下表面为止的绝缘区域(11)的厚度，在沟槽的中央部要比沟槽的所述侧面附近大。

公开(公告)号：CN1799146A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015008.X

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 空田晴之 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  岩永顺子

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一绝缘层(11)；由在第一绝缘层上形成的岛状的半导体构成的第一主体部(13)；由在第一绝缘层上形成的岛状半导体构成的第二主体部(14)；在第一绝缘层上，连接第一主体部和第二主体部而形成的脊骨状的连接部(15)；由在连接部的长度方向上的至少一部分构成的通道区域(15a)；通过第二绝缘层(17)覆盖通道区域的外周而形成的栅极(18)；横跨第一主体部、和连接部的、该第一主体部与通道区域之间的部分而形成的源极区域；以及横跨第二主体部、和连接部的、该第二主体部与通道区域之间的部分而形成的漏极区域；其中，构成通道区域的半导体具有晶格应变。