-
公开(公告)号：CN102804415A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026102.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的发光二极管元件具有主面(7a)是m面的n型GaN基板(7)和在基板(7)的主面(7a)上设置的层叠结构。该层叠结构具有：n型半导体层(2)；位于n型半导体层(2)的上表面的第一区域(2a)上的活性层(3)、p型半导体层(4)、阳极电极层(5)；以及在n型半导体层(2)的上表面的第二区域(2b)上形成的阴极电极层(6)。n型半导体层(2)、活性层(3)以及p型半导体层(4)都是通过m面生长而形成的外延生长层。基板(7)以及n型半导体层(2)中的n型杂质的浓度设定在1×1018cm-3以下。当从与主面(7a)垂直的方向观察时，阳极电极层(5)与阴极电极层(6)的间隔为4μm以下，在从阴极电极层(6)的边缘中的与阳极电极层(5)相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置有阳极电极层(5)。
-
公开(公告)号：CN1799146A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015008.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/78687
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一绝缘层(11)；由在第一绝缘层上形成的岛状的半导体构成的第一主体部(13)；由在第一绝缘层上形成的岛状半导体构成的第二主体部(14)；在第一绝缘层上，连接第一主体部和第二主体部而形成的脊骨状的连接部(15)；由在连接部的长度方向上的至少一部分构成的通道区域(15a)；通过第二绝缘层(17)覆盖通道区域的外周而形成的栅极(18)；横跨第一主体部、和连接部的、该第一主体部与通道区域之间的部分而形成的源极区域；以及横跨第二主体部、和连接部的、该第二主体部与通道区域之间的部分而形成的漏极区域；其中，构成通道区域的半导体具有晶格应变。
-
公开(公告)号：CN102792471A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011458.1
申请日：2011-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光二极管元件，具有：n型导电层（2），具有第1区域（2a）、第2区域（2b）及背面（2c）；设于n型导电层（2）的第1区域（2a）的活性层（3）以及p型导电层（4）；p型电极（5），设于p型导电层（4）的主面上；绝缘膜（15），设于通孔（8）的内壁，该通孔贯通n型导电层（2），并在n型导电层（2）的第2区域（2b）及背面（2c）具有开口；导电体部（9），在所述通孔（8）的内部设于绝缘膜（15）的表面；n型表面电极（6），设于第2区域（2b），并与导电体部（9）相接；以及n型背面电极（7），设于n型导电层（2）的背面（2c），并与导电体部（9）相接。
-
公开(公告)号：CN102334204A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
-
公开(公告)号：CN102334204B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103053013A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280002304.0
申请日：2012-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/205 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/2003 , H01L29/868 , H01L33/007
Abstract: 一种半导体层叠基板，半导体层叠基板具备：基板，和具有不同于基板的热膨胀系数、在基板的上表面的多个区域形成的多个半导体层。各区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴，具有不同的热膨胀系数。将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1。并且将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足式1。
-
公开(公告)号：CN102473806B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080032304.6
申请日：2010-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。
-
公开(公告)号：CN103081138A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002630.1
申请日：2012-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 实施方式的氮化物类半导体发光元件具有生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构。半导体层叠结构具有：n型半导体层；p型半导体层；设置于所述p型半导体层上的p侧电极；和位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层。活性层的厚度与n型半导体层的厚度比D为1.8×10-4≤D≤14.1×10-4，p侧电极的面积S为1×102μm2≤S≤9×104μm2，外部量子效率成为最大时的88%时的最大电流密度为2A/mm2以上。
-
公开(公告)号：CN102473806A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032304.6
申请日：2010-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。
-
公开(公告)号：CN1762047A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007417.5
申请日：2004-03-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/66795
Abstract: 一种半导体装置，其具有：形成有沟槽的半导体基板、埋设在沟槽内且由含有相同的导电型杂质的半导体所形成的源极区域以及漏极区域、埋设在沟槽内且设置在上述源极区域与上述漏极区域之间的半导体FIN、从半导体FIN的侧面连续设置到其上面的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅电极、以及设置在沟槽内且包围源极区域与漏极区域的第1绝缘膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.024 seconds)
