公开(公告)号：CN103098189B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN102265474A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152766.9

申请日：2009-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梶谷亮 ,  田村聪之 ,  春日井秀纪

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 氮化物半导体装置具备：在基板(101)上形成的第一氮化物半导体层(107)、在第一氮化物半导体层(107)上形成的缺陷导入层(108)、以及在缺陷导入层(108)上接触形成的具有露出缺陷导入层(108)的开口部的第二氮化物半导体层(109)。缺陷导入层(108)与第一氮化物半导体层(107)以及第二氮化物半导体层(109)相比，结晶缺陷密度较大。

公开(公告)号：CN1638055A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104567.X

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  田村聪之 ,  上田哲三

IPC: H01L21/302 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/30635 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。