公开(公告)号：CN100593241C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200610006244.6

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  内田干也 ,  藤原一夫 ,  山口琢己

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02164

Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。

公开(公告)号：CN100435341C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200410085688.4

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  内田干也 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体成像装置，包括：形成在P型阱内的多个N型光电二极管区；栅极，具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘，以及厚度不多于10nm的栅氧化膜；N型漏区，与该栅极的另一边缘相邻；和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区，形成的状态使得：设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1，设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘，并具有P型第二浓度C2，设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘，并具有P型第三浓度C3，其中C1＞C2＞C3或C1≈C2＞C3。它具有良好的低压读出特性，并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。

公开(公告)号：CN100429780C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200580000710.3

申请日：2005-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开了一种三晶体管CMOS型固体摄像装置，包括包含相邻的第一像素230及第二像素231的多个像素，各个像素中分别设有：将光变换成信号电荷的光电二极管201；用以读出在光电二极管201所产生的信号电荷的传送用晶体管。在第一像素230中设有：一端连接在第一像素230内及第二像素231内的两个光电二极管201上，另一端接收电源电压的重置晶体管；在第二像素231中设有：具有连接在第一像素230内及第二像素231内的两个传送用晶体管上的栅极电极204，在漏极接收电源电压的放大用晶体管。

公开(公告)号：CN101053081A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037527.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  三室研 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种固体摄像器件，具备以矩阵状配置在半导体基板(1)上并分别具有光电二极管的多个感光单元、和具有多个晶体管并用来驱动多个感光单元的周边驱动电路。作为多个晶体管具备将被传递与由光电二极管生成的信号电荷对应的信号电位并保持该信号电位的第1扩散层(2)作为源极或漏极的第1晶体管、和将不被传递信号电荷的第2扩散层作为源极或漏极的第2晶体管。在第1晶体管的第1扩散层的表面形成的金属硅化物层(4)的端缘与栅电极(6)的端缘之间的边缘间隔(D1)，比在第2晶体管的第2扩散层的表面形成的金属硅化物层的端缘与栅电极的端缘之间的边缘间隔大。能够抑制周边驱动电路的晶体管的漏泄电流、以高精度保持已摄像的图像信息。

公开(公告)号：CN1967808A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148534.4

申请日：2006-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  宫川良平

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 实现了一种元件图案被小型化的固态图像拾取器件及其制造方法，其中采用炉内退火工艺而不进行氮化栅氧化膜的工艺和主要热处理工艺中的快速热处理。根据本发明的固态图像拾取器件的制造方法包括以下步骤：通过热氧化半导体衬底来形成N沟道晶体管和P沟道晶体管的相应栅绝缘膜；形成P沟道晶体管的栅电极并且形成N沟道晶体管的栅电极使得最小栅长等于或小于0.3μm；利用栅电极作为掩模将杂质注入到半导体衬底中；并且对具有注入到其中的杂质的半导体衬底进行炉内退火。

公开(公告)号：CN1534793A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031962.X

申请日：2004-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  松长诚之 ,  稻垣诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14609

Abstract: 一种固态成像装置(100)，包括多个光敏单元(8)和用于驱动多个光敏单元(8)的驱动单元。每个光敏单元(8)包括：光电二极管(5)，形成为暴露在半导体衬底的表面上，用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷；转移晶体管，用于转移由光电二极管(5)积累的信号电荷；浮动扩散层(1)，用于暂时积累由转移晶体管转移的信号电荷；以及放大器晶体管(2)，用于放大暂时积累在浮动扩散层(1)中的信号电荷。设置在放大器晶体管(2)中的源/漏扩散层(3)被自对准金属硅化物层(4)覆盖，并且浮动扩散层(1)形成为暴露在半导体衬底的表面上。