公开(公告)号：CN1698187A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000582.8

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76885

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成由具有流动性的绝缘性物质形成的流动性膜的工序；将所述流动性膜推压到推压构件的平坦推压面使流动性膜表面平坦化的工序；通过使推压面推压到流动性膜的状态下将流动性膜加热到第1温度使流动性膜固化，形成表面平坦的固化膜的工序；以及，通过将表面平坦的固化膜加热到比所述第1温度高的第2温度焙烧固化膜，形成表面平坦的焙烧膜的工序。

公开(公告)号：CN1651515A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510005885.5

申请日：2005-01-27

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  笹子胜 ,  中川秀夫

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。

公开(公告)号：CN1210771C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。

公开(公告)号：CN1203533C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01104348.2

申请日：2001-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804

Abstract: 一种有机膜的腐蚀方法，使用以含碳、氢以及氮的化合物为主要成分的腐蚀气体所生成的等离子对有机膜进行腐蚀。通过该腐蚀方法使有机膜上的凹部截面成为垂直形状或正锥形形状。

公开(公告)号：CN1536023A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410031387.3

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  浅野健 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C08L83/00 ,  C08J5/18 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供介电常数为2.2或更低的，并具有实用价值的机械强度的多孔膜，本发明提供了形成多孔膜的组合物，该组合物包括组分(A)和(B)：(A)100重量份的至少一种可水解的硅化合物和/或至少一种下式(1)表示的硅化合物水解缩合的产物：R1aSiZ14－a(1)；其中Z1表示可水解的基团；R1表示取代或未取代的一价烃基；以及a是0－3的整数；和(B)0.1－20重量份含有至少一种环状低聚物的交联剂，所述的低聚物在受热时可产生一种或多种硅烷醇基团，并用下述式(3)表示：{R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e(3)其中R31和R32各自表示取代或未取代的一价烃基；Z3表示受热时可以产生硅醇基的基团；和d和e各自表示0－10的整数，d和e之和大于或等于3。

公开(公告)号：CN100419970C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410028268.2

申请日：2004-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  B32B25/20

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/31663

Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。

公开(公告)号：CN100381526C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

公开(公告)号：CN101021011A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610100054.0

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  村上友康

IPC: C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  G02B2006/12166 ,  G02B2006/12197

Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、含氮原子的气体和含碳化氢分子的气体构成。

公开(公告)号：CN1275297C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03128623.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

公开(公告)号：CN1698181A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压面具有凹部及凸部中至少一个的推压构件的所述推压面推压到流动性膜，将所述凹部及凸部中至少一个转印到流动性膜的工序；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了凹部及凸部中至少一个的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。