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公开(公告)号：CN109817736A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910062282.0
申请日：2019-01-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种串扰抑制和辐射加固的像素探测器，包括：高阻n型衬底、埋氧层、低阻硅层、n+探测阱、背部电极、p+区域、n型防穿通掺杂区域、埋p阱、埋p阱引出电极、埋n阱、埋n阱引出电极、n+探测阱读出电极；本发明可以有效抑制背栅效应以及传感器与电路之间的串扰，并且可以通过调节该电压对埋氧层中TID进行电荷补偿；埋p阱连接一个适当的电压结合n型防穿通掺杂区域对埋p阱中空穴形成势垒，并对n+探测阱提供横向电场，进一步抑制传感器与电路之间的串扰。并通过调节埋n阱的电位对埋氧层中总剂量效应进行电荷补偿。
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公开(公告)号：CN105932062B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610338199.8
申请日：2016-05-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括P型衬底、埋氧层、埋氧场板、顶层硅、横向多晶硅栅、源电极、漏电极、金属电极及栅氧化层；本发明的SOI LDMOS器件，具有源、漏埋氧场板，漏埋氧场板的引入屏蔽了漏区N+区域下的漂移区，使得器件的纵向电压由漏埋氧场板下的埋氧层承担。源埋氧场板的引入增强了器件的体耗尽并调制了器件的横向电场分布，从而提高了器件的击穿电压并降低了导通电阻。另外，由于埋氧场板取代了一部分埋氧层且多晶硅的热导率大于二氧化硅，所以本申请可以有效的改善器件的自加热效应。
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公开(公告)号：CN105702721B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610251263.9
申请日：2016-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成。本发明利用非对称栅极结构将隧穿器件陡峭的亚阈值摆幅和无结器件的较大开态电流优点相结合，当该新器件工作在亚阈值区时主要是无结器件工作，这样可以拥有更好的亚阈值特性，比如陡峭的亚阈值摆幅，而在开态时主要是无结器件工作，这样可以拥有更大的驱动电流。综合两种状态的变化，新型器件可以有效地提高器件的基本电学特性。
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公开(公告)号：CN105679821B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610250456.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层；其中，所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置，栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟道这样可以增强栅极和沟道的耦合，从而增强栅极的控制能力进而增加器件的隧穿电流。该结构的另一个特征就是将沟道的本征区(低掺杂区)延伸到了漏极区。总之，该结构器件相对于传统的隧穿晶体管在亚阈值摆幅、开关电流比等电学特性以及稳定性方面都有较明显改善。
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公开(公告)号：CN106783900A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611094845.7
申请日：2016-12-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14607
Abstract: 本发明公开了一种SOI像素探测器结构，由一种SOI像素探测器结构，包括低阻硅层、埋氧层、栅氧化层、高阻n型衬底、埋p阱、埋n阱、p型探测阱、埋n阱引出电极、传输门电极、p型探测阱读出电极和背部电极组成；其中，低阻硅层(电路层)与高阻n型衬底由埋氧层隔开；埋n阱被更加深的埋p阱包围，整个高阻n型衬底耗尽形成电荷灵敏区。该结构埋n阱连接一个适当的电压可以屏蔽衬底电压对电路层的影响；较大的埋p阱形成一个大的电荷收集和储存区域，而较小的p型探测阱作为探测区，与读出电极相连，从而降低SOI像素探测器敏感节点电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826391A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610332888.8
申请日：2016-05-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/4232 , H01L29/42356
Abstract: 本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重叠区；沟道重叠区位于沟道非重叠区之间，源区、漏区位于沟道非重叠区的两侧，顶部栅极与沟道之间、底部栅极与沟道之间分别设有栅介质层。本发明利用非对称栅极结构，在器件开启时可以拥有更小的沟道长度，而在关闭时拥有较长的沟道长度。这样的结构特点可以保证新型器件在关闭时拥有更好的关闭电流，以及更大的栅极控制能力。而在器件开启时，保证器件拥有更大的开启电流。
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公开(公告)号：CN105678683A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610068660.2
申请日：2016-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维模型的二维存储方法，利用二维平面图像存储三维模型的坐标数据。该方法读取三维模型，并进行空间变换，将其投影到坐标系平面上，每个面投影形成的模型深度信息即可转换为所对应二维平面的灰度信息。反之，利用生成的灰度图像，可以重新构建出原有模型。其生成的模型平面投影深度图在不进行复原的情况下也可以直观地获取原模型的三维特征，该方法可以运用在三维模型的保存上，也可以用在移动端和增强现实（AR）中应用，实现二维图像的三维可视化。
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公开(公告)号：CN114784133B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210406250.X
申请日：2022-04-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明结构采用多次外延法在N+衬底上依次交替制作N型层和P型层。首先在N+衬底上外延第一层N型层，之后在第一层N型层上外延第一层P型层，之后在第一层P型层外延层上外延第二层N型层，之后在第二层N型层外延层上外延第二层P型层，直到外延最后一层为N型层为止。如果外延的N型层一共有M层，则外延的P型层一共有M‑1层，总的外延层数为2M‑1层。每个N型层与每个P型层的厚度、掺杂浓度完全相同。本发明在外延层内部形成“锯齿形”的纵向电场分布，该电场分布更加均匀，使探测器在更低的衬底偏压下实现外延层的全耗尽，从而有效降低SiC微沟槽中子探测器的工作电压。
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公开(公告)号：CN114784132A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210406230.2
申请日：2022-04-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区，N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区，能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布，可使整个外延层范围内的纵向电场则呈现非常均匀的分布。均匀的外延层纵向电场分布能使探测器在更低的衬底工作偏压下实现灵敏区的全耗尽，可有效降低SiC微沟槽中子探测器的全耗尽工作电压，进而降低后端供电电路研发成本并，同时提高探测器和后端电路的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN114613843A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210247580.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构。本发明通过外延方法在埋氧层2的界面生长一层薄的N‑扩展层，该N‑扩展层可吸取因辐照在埋氧层引入固定正电荷镜像产生的电子；通过离子注入方法在浅槽隔离氧化层的下表面的拐角附近形成一个P保护区，该P保护区能够降低浅槽隔离拐角附近体硅内部电场峰值，从而提高器件的横向击穿电压；通过高能离子注入方法在漂移区形成一个P‑柱区15，该P‑柱区能够起到电导调制作用，在同一耐压条件下可以提高漂移区浓度对击穿电压的变化窗口。本发明在相同耐压条件下不但降低了比导通电阻，还可以大幅度提高器件的抗总剂量性能，从而保证SOI LDMOS器件在空间辐射环境中长时间稳定工作。
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