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公开(公告)号：CN104142412B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410186841.6
申请日：2014-05-05
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 提供一种电流施加方法和电流施加装置，防止因半导体内的残留电力所引起的半导体的破坏。一种对功率半导体(100)施加电流的电流施加方法，该功率半导体具有：第1信号引脚用接触区域(102)，其导通第1电流；和接触体用接触区域(101)，其与第1信号引脚用接触区域(102)电连接，且导通第2电流，该电流施加方法包括：步骤S1，使探头装置(1)的第1信号引脚(32)与第1信号引脚用接触区域(102)接触，将残留在第1信号引脚用接触区域(102)和接触体用接触区域(101)中的残留电力除去；和步骤S3、S4，在步骤S1后，使探头装置(1)的接触体(2)的接触部(21)与接触体用接触区域(101)接触，导通第1电流和第2电流。
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公开(公告)号：CN104777335A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510005076.8
申请日：2015-01-06
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01R1/07364 , G01R1/0466 , G01R31/2601
Abstract: 本发明提供电流施加装置以及半导体元件的制造方法。该电流施加装置在对半导体元件施加检查电流时能够提高接触体的突起与表面电极的电接触性。在该半导体元件的制造方法中，利用该电流施加装置适当地进行了检查。电流施加装置(1)具备接触体(2)和按压体(3)。接触体(2)具有多个突起(21)，用于与半导体元件(22)的表面电极(22a)接触从而施加检查电流。按压体(3)将接触体(2)按压到半导体元件(22)上，以使各突起(21)贯穿被覆膜并与表面电极(22a)接触。接触体(2)具有设置在形成为弯曲形状的面(4)上的多个突起(21)，通过按压体(3)的按压，弯曲形状的面(4)变形成平面状。
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公开(公告)号：CN104142462A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410110734.5
申请日：2014-03-24
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R1/06716 , G01R1/36
Abstract: 本发明提供一种电流施加装置，其在被施加了异常时的大电流的情况下，接触电极先被破坏。探测器装置（1）将与功率半导体（100）的表面（100f）接触而施加电流的接触体（2）和按压接触体（2）的按压体组件（3）串联连接，向功率半导体（100）施加电流，且构成为：在被施加于按压体组件（3）的按压体功率I2·R1小于耐受功率W1时，被施加于接触体（2）的接触体功率I2·R2大于耐受功率W2。
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公开(公告)号：CN116890021A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310309584.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: B09B3/70 , H01M10/54 , B09B101/16
Abstract: 本发明提供能够抑制损伤而将活性物质分离的活性物质的分离装置。本发明的一实施方式的活性物质的分离装置从电池构件中分离活性物质，其中，活性物质的分离装置具备：容器；底座构件，其配设于容器的内部，并支承电池构件；以及喷嘴，其配设于容器的上方，并对电池构件喷射流体，所述喷嘴在所述电池构件的上表面的位置比所述液体的液面的位置低的状态下喷射所述液体。
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公开(公告)号：CN108136689B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680053879.3
申请日：2016-09-16
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 提供一种进行热铆接的热铆接方法、热铆接系统、以及由这些方法、装置得到的被铆接件，该热铆接能够使第二部件的多个部分一起与第一部件的相对于铅直方向倾斜的部分接合，并能够稳定地通过接合得到高结合强度。热铆接方法使第二部件(30)的嵌入到第一部件(10)的多个孔(132)中并向内周面侧突出的多个凸起(33)一起熔融而与第一部件(10)接合，其中第一部件(10)具有大致锥体形状的中空部(11)，多个孔(132)设置于中空部(11)的内周面，使用具有沿着内周面且在中空部(11)的周向上连续的形状的加热端头(51)，使多个凸起(33)一起熔融，以熔融的相邻的凸起(33)彼此连结的状态与第一部件(10)接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109579750B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201811152013.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: G01B15/02
Abstract: 本发明提供一种电解质膜的膜厚测定方法及其装置。电解质膜用膜厚测定装置(30)具有放射检测介质(42)的检测介质发送部(44)、检测金属催化剂的检测部(46)和分析机构(34)。分析机构(34)根据在由检测部(46)生成的检测信号的厚度方向曲线中的强度，求出该厚度方向曲线中的第一拐点和第二拐点。分析机构(34)进一步将从第一拐点至第二拐点的距离评价为电解质膜(16)的膜厚。根据本发明，能够通过非破坏检查来测定膜电极组件中的电解质膜的膜厚，并且能够实际使用测定电解质膜的膜厚后的膜电极组件。
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公开(公告)号：CN104142411B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410123849.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , G01R1/0466 , G01R1/06722
Abstract: 本发明提供一种平行度调整装置和平行度调整方法，能够减轻对半导体的负载来调整半导体的表面与电极的表面之间的平行度，并使工作速度高速化来缩短循环时间。探头装置（1）调整功率半导体（100）的表面（100f）和与该表面（100f）接触并加压的同时施加电流的接触体（2）的接触部（21）的表面（21f）之间的平行度，探头装置（1）具有按压体组合体（3），所述按压体组合体（3）以规定的按压力按压接触体（2），直到功率半导体（100）的表面（100f）与接触体（2）的接触部（21）的表面（21f）接触来调整平行度，之后以比规定的按压力大的按压力按压接触体（2）。
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公开(公告)号：CN103543302B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310202946.1
申请日：2013-05-28
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01R1/067 , G01R1/07314 , G01R3/00 , G01R31/2891
Abstract: 本发明提供一种电流施加装置，其能够使与被检查体面接触的接触体均一地接触被检查体的表面，从接触体向被检查体良好地施加电流，并且能够只更换该接触体。电流施加装置（1）与功率半导体（H）压力接触并施加电流，电流施加装置（1）具备：接触体（2），其与功率半导体（H）面接触；以及多个导电性2阶弹簧（31），它们将接触体（2）按压到功率半导体（H），接触体（2）和多个导电性2阶弹簧（31）以分体的方式构成，多个导电性2阶弹簧（31）对接触体（2）的多个区域分别施加按压力（F），并且对接触体（2）通电。
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公开(公告)号：CN104142412A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410186841.6
申请日：2014-05-05
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 提供一种电流施加方法和电流施加装置，防止因半导体内的残留电力所引起的半导体的破坏。一种对功率半导体(100)施加电流的电流施加方法，该功率半导体具有：第1信号引脚用接触区域(102)，其导通第1电流；和接触体用接触区域(101)，其与第1信号引脚用接触区域(102)电连接，且导通第2电流，该电流施加方法包括：步骤S1，使探头装置(1)的第1信号引脚(32)与第1信号引脚用接触区域(102)接触，将残留在第1信号引脚用接触区域(102)和接触体用接触区域(101)中的残留电力除去；和步骤S3、S4，在步骤S1后，使探头装置(1)的接触体(2)的接触部(21)与接触体用接触区域(101)接触，导通第1电流和第2电流。
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公开(公告)号：CN104142411A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410123849.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , G01R1/0466 , G01R1/06722
Abstract: 本发明提供一种平行度调整装置和平行度调整方法，能够减轻对半导体的负载来调整半导体的表面与电极的表面之间的平行度，并使工作速度高速化来缩短循环时间。探头装置（1）调整功率半导体（100）的表面（100f）和与该表面（100f）接触并加压的同时施加电流的接触体（2）的接触部（21）的表面（21f）之间的平行度，探头装置（1）具有按压体组合体（3），所述按压体组合体（3）以规定的按压力按压接触体（2），直到功率半导体（100）的表面（100f）与接触体（2）的接触部（21）的表面（21f）接触来调整平行度，之后以比规定的按压力大的按压力按压接触体（2）。
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