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公开(公告)号：CN102971871A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180033098.5
申请日：2011-07-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种峰发光波长为655nm以上，并且可提高可靠性的发光二极管用外延晶片。所述发光二极管用外延晶片具备GaAs基板（1）和设置在GaAs基板（1）上的pn结型的发光部（2），发光部（2）被设为应变发光层与势垒层交替地层叠而成的叠层结构，势垒层的组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP（0.3≤X≤0.7，0.51≤Y≤0.54）。
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公开(公告)号：CN102725870A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007106.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管、具有该发光二极管的发光二极管灯和照明装置，所述发光二极管的特征在于，具有发光部、在上述发光部上形成的电流扩散层和接合于所述电流扩散层的功能性基板，所述发光部具有：活性层，即，将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的势垒层交替层叠而成的量子阱结构的活性层；夹持该活性层的、组成式为（AlX3Ga1-X3）As（0≤X3≤1）的第1引导层和第2引导层；隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持上述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，上述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-X4）YIn1-YP（0≤X4≤1，0＜Y≤1）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108933186A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810501874.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。
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公开(公告)号：CN102598318B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201080051483.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L24/45 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
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公开(公告)号：CN102725870B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180007106.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管、具有该发光二极管的发光二极管灯和照明装置，所述发光二极管的特征在于，具有发光部、在上述发光部上形成的电流扩散层和接合于所述电流扩散层的功能性基板，所述发光部具有：活性层，即，将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的势垒层交替层叠而成的量子阱结构的活性层；夹持该活性层的、组成式为（AlX3Ga1-X3）As（0≤X3≤1）的第1引导层和第2引导层；隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持上述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，上述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-X4）YIn1-YP（0≤X4≤1，0＜Y≤1）。
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公开(公告)号：CN103098238A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043286.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/30 , A01G9/26 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , Y02A40/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
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公开(公告)号：CN102422445A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080019083.9
申请日：2010-02-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30 , C23C16/30 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
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