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公开(公告)号：CN1981327A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580022116.4
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/65 , G11B5/667
Abstract: 一种磁记录介质，包括在非磁性基底上层叠的至少一层软衬层、一层垂直磁记录膜和一层保护膜。所述非磁性基底为一个直径小于等于48mm的硅圆片。一种用于制造所述磁记录介质的方法包括在形成保护膜时在所述硅基底上施加一个偏压。可以用所述方法制造磁记录介质。可以用所述磁记录介质和一个用于在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头来制造一种磁记录和再现设备。所述磁头是一个磁单极磁头。
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公开(公告)号：CN1898726A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038388.9
申请日：2004-12-24
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0688 , C23C14/185 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/712 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol％至15mol％之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti2O3。
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公开(公告)号：CN1275231C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1823371A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480019931.0
申请日：2004-07-13
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 一种具有磁记录层的磁记录介质，该磁记录层由具有改善取向性的精细晶粒制成。在非磁性基片1上依次形成软磁性层3、籽晶层4、垫层5和磁记录层7，其中籽晶层4由包含Ni的材料制成，垫层5具有颗粒隔离型结构，在该结构中由非磁性材料制成的颗粒被隔离在非磁性阵列中，并且该非磁性阵列由包含Y2O3的材料制成。具有这种结构，改善了垫层5在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征，从而改善了在垫层上所形成的磁记录层7在颗粒的均匀性、颗粒边界的清晰度、颗粒的精细度和晶体取向性方面的特征。因此，改善了介质噪声和矫顽力，从而可以进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1538392A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347088A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
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公开(公告)号：CN101185128A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018703.0
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
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公开(公告)号：CN101040326A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034550.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
Abstract: 提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
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公开(公告)号：CN1957400A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580009137.2
申请日：2005-03-24
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/667 , H01F10/08 , H01F10/3222
Abstract: 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。
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公开(公告)号：CN1856823A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
Abstract: 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质10包括在非磁性基底1上层叠的至少非磁性下层2、垂直磁性层3以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物。
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