公开(公告)号：CN104017173B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410247168.2

申请日：2010-11-05

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川上晋 ,  永井朗

IPC: C08G59/68 ,  C08G65/10 ,  C08G65/18 ,  C08F4/34

CPC classification number: C08F4/34 ,  C08F4/00 ,  C08G59/68 ,  C08G65/105 ,  C08G65/18 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/03 ,  C08K5/375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及粘接剂组合物，所述粘接剂组合物含有(A)下述通式(I)所表示的碘鎓盐化合物、(B)自由基聚合引发剂、(C)阳离子聚合性物质和(D)成膜性聚合物，R1‑I+‑R2 Y‑ (I)式中，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳基，Y－表示阴离子残基，其中，以该粘接剂组合物的总量为基准，所述粘接剂组合物中含有的能够进行自由基聚合的乙烯基化合物的含量为0质量％。

公开(公告)号：CN103531489A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310282643.5

申请日：2013-07-05

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川上晋 ,  有福征宏

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/743 ,  H01L2021/60277 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/838

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置。半导体装置的制造方法具有如下连接工序：在放置于平台上的光透过性基板上隔着光固化性粘接层配置半导体元件，通过利用压接头进行的加压和利用光照射装置进行的光照射将半导体元件连接在光透过性基板上，在连接工序中，在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层，通过光反射层使来自光照射装置的光反射而照射在粘接层上，从而使粘接层固化。

公开(公告)号：CN103531437A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310282505.7

申请日：2013-07-05

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川上晋 ,  有福征宏

IPC: H01L21/02 ,  C09J7/00

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L24/27 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置。半导体装置的制造方法具有如下连接工序：隔着光固化性粘接层在放置于平台上的基板上配置宽度1mm以下的半导体元件，通过利用压接头进行的加压和利用光照射装置进行的光照射将半导体元件连接在基板上，在连接工序中，通过从半导体元件的宽度方向的两侧照射来自光照射装置的光，从而使粘接层固化。

公开(公告)号：CN203367239U

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201320401223.X

申请日：2013-07-05

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川上晋 ,  有福征宏

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供一种压接装置。该压接装置的特征在于，具有：放置隔着光固化性粘接层与半导体元件连接的光透过性基板的平台；对放置于所述平台上的所述光透过性基板和所述半导体元件进行加压的压接头；在所述光透过性基板的放置区域的周围配置的光照射装置；以及在与所述粘接层相比更靠近所述平台的位置设置的、使来自所述光照射装置的光朝向所述粘接层反射的光反射层。

公开(公告)号：CN204589054U

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201520051747.X

申请日：2015-01-23

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川上晋

IPC: C09J5/00 ,  C09J9/02 ,  H05K3/32 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种电子部件的中间体，其是具有第1电极的第1电路构件和具有对应于所述第1电极的第2电极的第2电路构件隔着光固化型各向异性导电性粘接剂层配置而成的电子部件的中间体，所述第1电极以所述第1电极与所述第2电极的间隔为所述各向异性导电性粘接剂层中的导电粒子平均粒径的0％～200％的方式被压入未固化状态的所述各向异性导电性粘接剂层中。

公开(公告)号：CN204651307U

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201520035760.6

申请日：2015-01-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 森谷敏光 ,  岩井慧子 ,  川上晋 ,  有福征宏 ,  后藤泰史

IPC: H01L23/495

Abstract: 本实用新型提供一种连接结构体。连接结构体(1)中，排列有凸块电极(6)的第1电路构件(2)和排列有对应于凸块电极(6)的电路电极(8)的第2电路构件(3)通过分散有导电粒子(P)的各向异性导电性膜(11)的固化物(4)被连接，凸块电极(6)与电路电极(8)之间的各向异性导电性膜(11)的固化物(4)中，导电粒子(P)的80％以上位于从第2电路构件(3)的安装面(7a)开始到导电粒子(P)的平均粒径的180％以下的范围内。

公开(公告)号：CN204927244U

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201520532250.X

申请日：2015-07-21

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 森谷敏光 ,  岩井慧子 ,  川上晋 ,  有福征宏 ,  稗岛华世

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01R4/04

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本实用新型提供一种连接结构体，该连接结构体是通过含有导电粒子的各向异性导电性膜的固化物将排列有第一电极的第一电路构件和排列有与第一电极相比厚度小的第二电极的第二电路构件连接而成的连接结构体，在各向异性导电性膜的固化物中，位于第一电极之间的中央区域的导电粒子的90％以上位于从第一电路构件的安装面至导电粒子平均粒径的200％以下的范围和相当于第一电极厚度的一半的范围中的任一较大的范围内。

公开(公告)号：CN204689937U

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201520042927.1

申请日：2015-01-21

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 森谷敏光 ,  川上晋 ,  有福征宏 ,  市村刚幸 ,  岩井慧子 ,  渡边丰

IPC: C09J9/02 ,  H01R11/01

CPC classification number: H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192

Abstract: 本实用新型提供一种各向异性导电性膜和连接结构体。各向异性导电性膜(11)中，导电性粘接剂层(13)中导电粒子(P)的70％以上与相邻的其他导电粒子(P)分隔开。因此，电路构件(2)、(3)连接时相邻的导电粒子(P)、(P)之间的凝聚被抑制，能够良好地确保凸块电极(6)、(6)之间和电路电极(8)、(8)之间的绝缘性。另外，各向异性导电性膜(11)中，导电性粘接剂层(13)的厚度大于或等于导电粒子(P)的平均粒径的0.6倍且小于1.0倍。由此，压接时导电粒子(P)的流动性被抑制，能够提高凸块电极(6)与电路电极(8)之间的导电粒子(P)的捕捉效率，能够确保电路构件(2)、(3)的连接可靠性。